哈工大重大突破！成功攻克EUV光刻机技术

哈工大重大突破！成功攻克EUV光刻机技术

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近日，哈尔滨工业大学（简称哈工大）在半导体领域取得重大突破，成功研发出中心波长为13.5纳米的极紫外（EUV）光技术。这一突破不仅填补了国内在该领域的空白，更为中国自主研发EUV光刻机奠定了坚实基础。

光刻机作为芯片制造的核心设备，其技术水平直接决定了芯片的制造精度与性能表现。长期以来，极紫外光刻机技术一直被国际少数巨头所垄断，成为制约中国芯片产业发展的关键瓶颈。而极紫外光技术正是EUV光刻机的核心所在，掌握这一技术意味着在芯片制造的最尖端领域抢占了战略高地。

哈工大科研团队凭借深厚的科研积淀与不懈探索，成功攻克了极紫外光技术难关。他们研发出的中心波长为13.5纳米的极紫外光，是实现7纳米及以下先进制程芯片制造的关键光源。这一技术突破不仅填补了国内空白，更标志着中国在极紫外光技术研究领域实现了质的飞跃。

对于中国芯片产业而言，这一突破具有重大战略意义。它为中国自主研发EUV光刻机奠定了基础，有望大幅提升中国芯片制造的自主可控能力，减少对国外设备的依赖，确保国家信息产业供应链的安全稳定。同时，这一成就也将激发更多国内科研力量投身于芯片核心技术的研发，推动整个芯片产业链的协同发展，加速中国芯片产业向国际先进水平迈进的步伐。

目前，哈工大科研团队正积极携手国内相关企业和科研机构，加速推进极紫外光技术的工程化与产业化进程，力求将这一重大科研成果尽快转化为推动中国芯片产业发展的强大引擎，为实现中国芯片的自主可控与产业升级贡献力量。