复旦教授评国产光刻机：虽落后20年，但自主可控优势明显

复旦教授评国产光刻机：虽落后20年，但自主可控优势明显

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国产光刻机的现状如何？复旦大学教授沈逸给出了一个令人深思的答案：“相当于外国10年、20年前的水平”。这个评价既让人自豪，又让人遗憾。自豪的是，中国已经成功研发出自己的光刻机；遗憾的是，与世界领先水平相比，我们还有不小的差距。但正如沈逸教授所说，“我们是用非美工艺制造的，这就很牛了”。

光刻机是芯片制造的核心设备，其技术水平直接决定了芯片的制程工艺。目前，荷兰ASML公司生产的EUV（极紫外）光刻机代表了世界最高水平，能够实现2nm级别的芯片制造。而国产光刻机主要集中在28nm及以上的制程工艺，与ASML的技术差距显而易见。

然而，这种差距并非不可逾越。国产光刻机的研发之路虽然艰难，但已经取得了重要突破。在面对美国的技术封锁和供应链限制的情况下，中国工程师凭借顽强的毅力和创新精神，成功实现了氟化氪到氟化氩深紫外光刻机的量产，达到了28nm制程工艺。这标志着中国在光刻机领域迈出了独立自主的第一步。

ASML的成功很大程度上依赖于全球供应链的支持。而在中美科技博弈的大背景下，国产光刻机的自主可控优势显得尤为重要。虽然目前国产光刻机还在干式光刻向浸入式光刻过渡的阶段，但业内普遍认为，未来3-5年内有望在浸入式技术上实现突破。这不仅是一个设备的升级，更是中国芯片产业链的一次重塑。

光刻机的终极目标是EUV技术，只有突破这一点，才能真正站上世界的巅峰。但正如登山一样，眼前的“浸入式技术”就是我们的中途营地，而真正的“珠峰”是2nm甚至更先进的制程技术。我们需要一步步来，稳扎稳打，才能最终登顶。

国产光刻机的逆袭之路才刚刚开始。虽然前路漫漫且充满挑战，但中国有信心也有决心一路走下去。相信未来的国产光刻机一定能成为世界科技舞台上的一颗耀眼明珠！