哈工大的曙光让ASML沉默，中芯国际等一台国产EUV
哈工大的曙光让ASML沉默，中芯国际等一台国产EUV
近期，哈尔滨工业大学（哈工大）宣布成功研制出13.5纳米极紫外（EUV）光源，这一突破性进展有望打破中国在光刻机技术领域的瓶颈。新加坡毕盛资产管理创始人王国辉在接受彭博电视台采访时表示，看好中芯国际的发展前景，认为其将利用本土优势在全球市场与台积电竞争，并有望在市值上追平台积电。
哈工大突破EUV光源技术
哈工大此次突破的光源技术波长为13.5纳米，采用的是放电等离子体极紫外光刻光源（DPP）技术。与美国Cymer公司使用的传统激光等离子体（LPP）技术不同，哈工大通过粒子加速辐射获得极紫外光，这一创新方法展示了中国在光刻机领域的弯道超车能力与进化速度。
从技术层面来看，顶级EUV光刻机需要四大核心组件：顶级光源系统、物镜系统、双工件台和控制系统。其中，物镜系统通常由德国蔡司提供。哈工大的突破主要集中在光源系统上，其技术具有能量转换效率高、成本低、体积小、技术实现难度适中等多项优点，不仅能够提供更高的带宽，而且大幅降低了功耗，展现出跨越摩尔定律限制的巨大潜力。
ASML的沉默与低估
光刻机的光源占据7成以上的重要性，按理说，这么重大的技术突破，影响最大的会是ASML与台积电，但两者都表现非常沉默，这背后，一半是焦虑，一半是不相信，还是认为中国人不可能自主造出EUV光刻机。ASML的CEO此前在公开场合直接说，中国芯片厂商和世界领先水平还差10到15年。每一代技术都靠时间、经验和巨额投入砸出来。设备差一个代际，后面的工艺就很难追上。
如前所述，光刻机的光源，物镜系统，工作台，都需要顶级的镜头以及极致的机械精度与复合材料。就算光源技术过关了，整机的集成能力和产业化能力也需要进一步攻克，而光刻机的元器件就有10万个。
此外哈工大EUV光源要从技术验证到真正量产，仍然有不少问题需要解决，比如光源稳定性提升、系统优化、商用化适配等。
此外，与光刻机配合的，还有芯片制造工艺，这方面台积电领先全球，每一代技术都在提前布局，不怕砸钱，2023年它在研发上的投入高达360亿美元，目前已实现3nm量产，更先进的2nm已经在研发。
因此，ASML的护城河很高，要短时间颠覆它的技术与设备，并不是那么容易。
不过，哈工大团队其实早在2022年就推出了光源样机，2023年完成了原型机研发，2024年上半年通过了关键测试，现在终于拿下了大奖。而且从2023年10月左右开始，到2024年5月17日获得批复，由国仪超精密集团的哈尔滨公司主导，投资总额高达11亿元。短短半年时间，哈工大就已经掌握了七项光刻机核心技术，成果突破速度是非常快的。
从技术上来说，哈工大光源技术后续需要整个芯片产业链配合与联动，中国速度一般都会超出西方预期发展。而且国产光刻机的性能一旦达到了国际先进水平，中国的成本更低，性价比极高，芯片制造成本有望因此得到大幅度压缩。而且一旦我们自己掌握了这项核心技术，就能够衍生出更多更深层次的应用，在芯片代工制造领域也将迎来高速发展阶段，间接带动中芯国际的产能与技术突破。
现在中芯国际已经开始打价格战了，降价很猛，也能侧面说明国内芯片制造工艺的良率在大幅提升。其实5nm已经足够强了，一旦EUV光刻机突破，5nm以下的良率提高，中国芯片真的就没什么短板了。
中芯国际的未来展望
根据王国辉的说法，在美日荷等国的技术封锁下，中芯国际至少在2026年前仍可能无法获得先进的半导体制造设备，这将限制其向先进制程技术的推进。但根据清华大学法学博士蔡正元的预测，希望2028年之前国产EUV光刻机能够诞生。从他对时间点的预判来看，中芯国际等待的国产EUV或还需要几年时间，届时台积电与中芯国际将迎来决战时间点。
如前所述，台积电成功的背后，本质上依赖一套成熟的供应链和合作体系，全球最好的光刻机ASML、材料和技术团队都跟它合作，这也是制约中芯国际增长空间的供应链短板。台积电目前的市值已经突破了1万亿美元，而中芯国际市值仅为约1000亿美元不到，按照王国辉的预测，国产EUV光刻机一旦到来，中芯国际或迎来数倍涨幅。
从这一技术突破来看，哈工大真是神奇的学校，国家栋梁的培养基地，这无疑给其他高校树立了表率，只有越来越多的高校有哈工大的不畏难的攻坚精神与创新能力，与国家科技发展的方向同频共振，才能为我国的科技突破提供持续的人才与创新支撑力，那我们的光刻机可能才会更早的问世！