华为麒麟9030将采用国产5纳米制程工艺，光刻机技术发展迎来新突破

华为麒麟9030将采用国产5纳米制程工艺，光刻机技术发展迎来新突破

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近日，有消息称华为将在麒麟9030芯片上采用国产5纳米制程工艺，这一消息引发了业界广泛关注。虽然目前国产5纳米制程工艺在良品率方面仍面临挑战，但这一突破仍具有重要意义。本文将从光刻机技术的发展历程出发，探讨半导体制造工艺的未来发展方向。

消息称华为从麒麟9030开始用国产5纳米制程工艺。没有EUV光刻机，良品率低于国产7纳米，可能只有Mate80 Pro系列会用麒麟9030。通过EUV光刻机发展就可以看出来，不是几年就能成就，必须脚踏实地。美国只是开发出EUV光源，也造不出光刻机，阿斯麦在使用美国技术之前，就已经几乎垄断光刻机行业了。美国在惯性约束可控核聚变方向有数十年的科研积累，EUV光源正是借用了相关技术。加上阿斯麦在光刻机领域的经验，这才得以完成首台EUV光刻机。

EUV只是一条成功的道路，但不代表其他的道路就走不通。阿斯麦光刻机是有极限的！根据摩尔定律，以现有的技术方向，极限只能达到2纳米技术，无法突破，如要突破，只能换全新的技术路线。大家没发现现在手机芯片性能不再如前些年那样更新换代很快吗？提升最大的是7纳米突破到5纳米的时候，比如苹果A15，到现在的3纳米，进步并不明显，天玑和高通都在改架构。国内突破的是激光干涉技术，不是紫外线，给新一代光刻机带来一点前景展望，未来路还长着。