电容直流偏压特性的影响及原理分析
电容直流偏压特性的影响及原理分析
电容的直流偏压特性是一个容易被忽视但又至关重要的参数,它直接影响着电路的稳定性和可靠性。本文通过一个实际案例,深入探讨了直流偏压对电容容量的影响及其原理,并分析了影响该特性的关键因素,为电子工程师和相关技术人员提供了宝贵的参考。
一.直流偏压特性影响实例
在电路设计中,电容的直流偏压特性可能会导致意想不到的问题。例如,当使用不同封装的电容时,即使它们的标称容量相同,其实际表现也可能大相径庭。
以一个15V供电电路为例,当使用1206封装/10uF/10%/50V的电容时,电压最低跌落到13.4V;而使用0603封装/10uF/10%/25V电容时,电压最低会跌落到10V左右。这种差异导致需要15V供电的器件出现欠压报警。
图1 15V电压跌落波形
虽然ESR(等效串联电阻)的差异可能对电压跌落有一定影响,但计算表明,仅凭ESR差异无法解释3V的电压差。因此,电容的直流偏压特性才是主要原因。
二.直流偏压特性的发生原理
电容在不施加外部电场的情况下也会出现极化现象,这就是所谓的“自发极化”。自发极化是由材料的不活跃电场引起的,不活跃电场为电容器提供了初始电容。当对电容器施加外部直流电压时,生成的电场会反转初始极化,将剩余的有源偶极子“锁定”或极化到位。极化与电介质内电场的方向有关。
图3 直流偏压对电容容量的影响
三.影响电容直流偏压特性的因素
电容的这种偏压特性和封装、容值、材质有关。
1. 不同电容器尺寸的直流偏压对电容容量的影响
电容尺寸越大,直流偏压对容量的影响越小。这是因为电容外壳尺寸越大,导体之间存在的电介质就越多,这会降低电场强度并减少锁定的偶极子数。这也是为什么电解电容没有明显的直流偏压特性。
图6 X5R电容直流偏压影响
图7 X7R电容直流偏压影响
图8 C0G电容直流偏压影响
2. 不同介质的直流偏压对电容容量的影响
不同电容介质对直流偏压特性的响应不同。I类瓷片电容(如C0G和NP0)是非铁电材料介质,其容值在施加直流电压和温度变化时保持稳定。而II类瓷片电容(如X5R和X7R)是铁电材料介质,具有较高的介电常数,其容值会随温度、电压、频率的变化以及时间推移而变化。