半导体“一代宗师”：施敏辞世，曾三次获诺贝尔提名

半导体“一代宗师”：施敏辞世，曾三次获诺贝尔提名

11月7日发布的讣告：著名半导体器件专家、教育家施敏于11月6日安详离世，享年87岁。讣告中称，他的非凡一生以及对电子和半导体器件世界的贡献，将被铭记和珍惜。

据悉，施敏系中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士。中国工程院官方网站上对施敏的成就介绍中写道：在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术的研发中，施敏博士的贡献具有奠基性和开创性的意义。

施敏，1936年3月21日出生于江苏省南京市。1957 年毕业于台湾大学电机工程系，之后至美国留学，1960 年在华盛顿大学取得硕士学位。施敏也与张忠谋师出同门，和不久前过世的华泰电子创办人杜俊元一样，三人指导教授皆为John Moll。

施敏和张忠谋同为美国斯坦福大学电机博士，1963年毕业后正直美国半导体公司快速扩张，贝尔实验室、通用电子、西屋电子、惠普、IBM、RCA等都为施敏开出了很高的薪资（12000-14400美元之间），给出的工作岗位分别是：通用电子的功率半导体部门、贝尔实验室的半导体部门、IBM的显示部门。

施敏听从John Moll教授的忠告，选择进入美国知名研发重镇贝尔实验室（Bell Labs）工作，直到 1989 年退休。从1963年到1972年，施敏每年发表的论文超过10篇。

1967 年，施敏和韩裔同事姜大元（Dawon Kahng） 休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动了二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加入一层金属层。后来两人发明了世界上第一个浮栅非挥发MOS场效应记忆晶体管（Non-Volatile Semiconductor Memory，NVSM），论文发布在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上。

这项技术使得晶体管的栅极由上而下分别为金属层、氧化层、金属浮栅层、一层较薄的氧化层，以及最下面的半导体，而中间的金属层因为上、下都是绝缘的氧化层，在施加电压时，可以将电子吸进去保存，改变电路的导通性，而这层金属的上、下都是绝缘体，如果不再度施加反向电压的话，电荷会一直保存在里面，断电后资料也不会消失。

这也是现今闪存（NAND Flash）技术的基础，虽然在1967年提出该技术时，在业界没有掀起太大涟漪，但好技术终究不寂寞，30年后闪存成了各项消费电子产品所使用的关键零件之一，是半导体技术的重大突破之一。

有了轻巧省电的“非挥发性内存”后，结合了“电话”、“微波通信”及“晶体管”这4大发明，促成了1979年手机的诞生。如今更被广泛应用在汽车、商务、医疗、自动控制及各种大大小小的智能家电产品上。

施敏在微电子科学技术著作方面举世闻名，他所著的《半导体元件物理学》(Physics of Semiconductor Devices) 是目前全世界所有工程及应用科学领域最畅销的书之一，曾被翻译成六种语言，销售超过100万册，被引用次数达两万多次，有“半导体界的圣经”之称。

施敏教授的离世也提醒我们，每一位科研工作者都应当珍惜自己的时间和精力，把握每一个机会去追求自己的梦想，去创造属于自己的价值。因为在这个瞬息万变的时代，每一分每一秒都是宝贵的资源，我们需要学会如何有效地利用它们，实现自己的价值。

此外，我们还应当学会施敏教授那种对知识的尊重和渴望。他始终坚信知识就是力量，只有通过不断的学习和积累，我们才能在这个竞争激烈的时代中立足。我们应该把这种精神融入到我们的学习和工作中去，让它成为我们前进的动力和支撑。

最后，让我们再次缅怀施敏教授的伟大贡献和精神遗产。他的离世让我们失去了一位伟大的科学家和引领者，但他的精神和遗产将永远激励着我们前行。让我们以他为榜样，继续勇敢地追求自己的梦想，创造属于自己的价值。

文章来源： 深科技，中国侨网，老邪哈