UFS 3.0闪存测试曝光：速度竟是UFS 2.1的3倍

UFS 3.0闪存测试曝光：速度竟是UFS 2.1的3倍

引用

CSDN

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https://m.blog.csdn.net/weixin_39823269/article/details/119270064

2018年1月，UFS 3.0闪存技术正式发布。作为UFS 2.0和2.1的迭代升级产品，UFS 3.0在性能上带来了显著提升。近日，网络上曝光了一张1TB UFS 3.0闪存的Androbench读写测试记录截图，显示其顺序读取速度达到2279.8MB/s，顺序写入速度达到1801.1MB/s。与目前UFS 2.1普遍700-800MB/s的顺序读取速度相比，提升幅度高达2-3倍。

虽然UFS 3.0在4K随机读写方面与UFS 2.1的差距不大，但其在其他方面的表现令人瞩目。UFS 3.0主打高性能和低功耗，是首个引入MIPI M-PHY HS-Gear4标准的闪存，单通道带宽高达23.2Gbps，是UFS 2.0/2.1的两倍。此外，UFS 3.0还支持更多分区、升级的纠错能力，电压达到2.5V，并支持最新的NAND Flash介质。

2019年的主流旗舰芯片都支持UFS 3.0，高通骁龙855和三星Exynos 9820已确认兼容这一全新闪存规格。三星预计将在2019年上半年推出搭载UFS 3.0闪存的机型，其中三星Galaxy S10系列的顶配S10+ 5G版本有望率先采用。

台湾厂商群联电子（Phison）的数据显示，其UFS 2.1产品的吞吐量分别为800MB/s和1333MB/s，而最新的UFS 3.0吞吐量更是高达2666MB/s，相比UFS 2.1实现了成倍增长。虽然UFS 3.0产品的大规模商用可能还需要一段时间，但其实际表现无疑将大幅超越现有的UFS 2.1产品。