总投资超200亿！长飞先进武汉碳化硅基地设备进场

总投资超200亿！长飞先进武汉碳化硅基地设备进场

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12月18日，长飞先进武汉基地项目首批设备搬入仪式在光谷科学岛举办，标志着该项目正式进入设备安装调试阶段。

source：长飞先进

据悉，本次搬入的设备涵盖了芯片制造的各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等关键工艺设备。目前，项目正有序推进设备安装调试工作，预计将于2025年5月实现量产通线。

长飞先进武汉基地项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米。项目主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。

项目投产后将形成年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块的生产能力，产品将广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域。

source：长飞先进