王迅：中国半导体物理学家的杰出代表

王迅：中国半导体物理学家的杰出代表

王迅，表面物理、半导体物理学家。1934年出生于上海。原籍江苏无锡。1956年毕业于复旦大学物理系，1960年该系研究生毕业。复旦大学教授。

对半导体表面和界面的结构和电子态做了系统研究，其中对InP极性表面进行了开拓性研究。在多孔硅研究方面发现多孔硅的光学非线性现象，实现多孔硅的蓝光发射并被国际上引为1992年多孔硅研究的6项进展之一，发现多孔硅发光峰位钉扎现象，测量了多孔硅/硅界面的能带偏移。在高质量锗硅超晶格的研制、锗硅量子阱和量子点物理特性的研究、新型硅锗器件的合作研制等方面作出多项创新成果。领导建成应用表面物理国家重点实验室并领导研究取得多项重要成果。

1999年当选为中国科学院院士。