RTP快速退火炉助力半导体产业发展

RTP快速退火炉助力半导体产业发展

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随着新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等前沿技术的快速发展，化合物半导体展现出巨大的应用前景。然而，传统的炉管退火工艺已难以满足第三代半导体材料的热处理需求。RTP快速退火炉作为一种新型退火方案，通过精确控制加热和冷却过程中的温度和时间，为半导体器件制造和材料研究提供了更优的解决方案。

化合物半导体在新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等前沿技术领域中展现出了巨大的应用前景和发展空间，而随着SiC、GaN等第三代半导体材料被广泛使用，在应用升级的推动下，对于晶圆和化合物半导体的热处理技术要求也越来越高。传统的炉管退火工艺利用长时间的高温处理消除离子注入损伤、应力释放等，但存在缺陷消除不完全、退火时间长容易导致杂质再分布，温场控制困难等问题。因此需要一种退火温度可控、退火效率更高的新型退火方案。

RTP快速退火炉原理

RTP（Rapid Thermal Processing）快速退火炉是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，原理是通过控制加热和冷却过程中的温度和时间，以改变其性质或结构，从而实现对材料的精确控制和优化处理。

图：RTP结构示意图（图源网络）

RTP快速退火炉优势