范德华作用依赖的微纳系统力学行为

创作时间:

作者:

@小白创作中心

范德华作用依赖的微纳系统力学行为

引用

来源

https://lxjz.cstam.org.cn/cn/article/doi/10.6052/1000-0992-24-019

范德华作用是自然界和人造系统中普遍存在的一种量子和热力学涨落引起的相互作用。准确描述范德华作用对于理解微纳材料及系统的力学行为及其精准设计至关重要。本文综述了依赖范德华作用的微纳尺度力学行为方面的最新研究进展，包括范德华理论、范德华作用对二维材料和微纳机电系统的影响、新颖效应以及未来的发展趋势。

范德华作用的理论基础

范德华作用起源于量子和热力学涨落，在自然界和人造系统中无处不在。准确描述范德华作用对于理解微纳材料及系统的力学行为及其精准设计尤为关键。本文综述了依赖范德华作用的微纳尺度力学行为方面的最新研究进展。

首先，简要介绍了适用于原子与分子体系的范德华理论，如对势近似法、非局域范德华泛函、绝热连接涨落耗散定理和多体色散方法等，以及适用于连续介质体系的解析、半解析和数值Lifshitz理论等描述方法。

图 1 微观原子分子体系范德华作用示意图。 (a) 瞬时涨落偶极矩致双原子范德华作用, (b) 三原子间范德华作用Axilrod–Teller–Muto项, (c) 基于绝热连接涨落耗散定理的精确关联能表述方法示意图 (Woods et al. 2016), (d) 基于耦合量子简谐振子的多体色散表述方法示意图 (Woods et al. 2016)

图 2 (a) 不同配位数下C-C、N-N和O-O间C6系数(Grimme et al. 2010), (b) 不同范德华方法预测的双层类石墨烯晶体层间范德华能(Liu et al. 2020), (c) 立方硅中C6系数与晶格常数的依赖关系(Zhang et al. 2011), (d) 石墨烯、h-BN和硅烯面内应变依赖的C6系数(Liu et al. 2020), (e) 常用范德华泛函下对范德华晶体层间距的预测与实验值的差异(Björkman et al. 2012a), (f) 常用范德华泛函所预测范德华晶体结合能的分布(Björkman et al. 2012a)

图 3 (a) 范德华作用理论的发展过程(Casimir & Hendrick 1948,Lifshitz 1956,Canaguier-Durand et al. 2009,Rahi et al. 2009,Reid et al. 2009), (b) 邻近力近似示意图(Jiang et al. 2023)

范德华作用对二维材料和微纳机电系统的影响

范德华作用对二维材料、微纳机电系统等体系的典型力学行为有着重要影响。例如，范德华作用可以影响材料的粘附力、摩擦力、弯曲刚度等力学性质。通过实验和理论计算，研究者们发现范德华作用在不同材料体系中表现出不同的特性，这些特性对于设计和制备高性能的微纳器件具有重要意义。

图 4 (a) 石墨层包裹的AFM针尖与h-BN、MoS2、石墨表面接触的示意图(Li et al. 2019); (b) 石墨与石墨、h-BN及MoS2间的界面脱附力相对强度测量值(Li et al. 2019); (c) 5种异质界面相对脱附强度的实验值与vdW2D预测值(Li et al. 2021); (d) 同质范德华晶体界面的黏附力(Rokni & Lu 2020); (e) 230种二维晶体的层间结合能和临界脱附力的理论预测值(Tang et al. 2022)

图 5 (a) 利用界面临界脱附力的差异将h-BN表面的石墨片转移至MoS2表面(Li et al. 2019); (b) 利用MoS2-金属的强界面作用, 将单层MoS2晶体从体相转移至弱作用的SiO2表面(Satterthwaite et al. 2024); (c) 范德华晶体剥离能、结合能、解理能的定义(Björkman et al. 2012b)

图 6 (a) 富勒烯分子在石墨烯鼓泡施加的高温高压环境下发生聚合反应(Lim et al. 2014); (b) 双层石墨烯包裹的TPA分子结构(上方插图)和拉曼光谱, 体相TPA分子结构(下方插图)和拉曼光谱(Vasu et al. 2016); (c) 二维晶体鼓泡示意图(上侧)和鼓泡的剖面形貌(下侧)(Khestanova et al. 2016); (d)h-BN与基底的范德华压强导致被包裹的碳管坍塌示意图(Hu et al. 2024)

图 7 (a) 通过针尖带动与之接触的几层石墨薄片发生层间剪切, 形成石墨上的自回退装置的示意图(上侧), 此过程的SEM图像(中间), 光学显微镜图像(下侧)(Liu et al. 2012); (b) 不同放置时测得同一针尖与石墨表面的摩擦−载荷曲线(Deng et al. 2012); (c) 石墨烯、h-BN和MoS2弯曲刚度−厚度关系(Wang et al. 2019); (d) 石墨烯衬底上单层石墨烯片的压应力与归一化位移曲线(Yang et al. 2016)

图 8 (a) 电容法测量的卡西米尔力和转角−距离关系, 插图为实验装置示意图(Chan et al. 2001a); (b) 机械共振法测量卡西米尔力示意图(Garcia-Sanchez et al. 2012); (c) 弹性势能(蓝色虚线), 卡西米尔能(绿色虚线)和总势能(红色实线)与平板位移的关系, 插图为非线性卡西米尔振荡器的模型(Chan et al. 2001b); (d) 卡西米尔力对线性振荡器频响的滞后效应(上侧), 激励频率固定时, 振幅随距离的关系(下侧)(Chan et al. 2001b)

图 9 (a) 鳍式场效应晶体管栅极在沉积隔离层时发生的弯曲, 红圈位置发生屈曲和黏附(Xie et al. 2016); (b) 静电式步进微电机俯视图与剖面图(Fan et al. 1988); (c) 电极沟槽间碳纳米管装置示意图(Aykol et al. 2014); (d)碳纳米管温度-共振频率曲线(Aykol et al. 2014)

新颖效应

研究者们还发现了许多由范德华作用引起的新颖效应，如范德华斥力、非单调范德华势阱、范德华扭转力矩、范德华翻转力矩、范德华屏蔽等。这些效应在微纳尺度下表现得尤为显著，为设计新型微纳器件提供了新的思路。

图 10 (a) 乙醇环境下Au板与Au板间的范德华吸引势; (b) 乙醇环境下Au板与Teflon板间的范德华排斥势; (c) 乙醇环境下Au板与Teflon/Au板间的非单调范德华势阱; (d) 沿法向范德华势阱控制下的一维布朗振子(Chen et al. 2024); (e) 具有孔洞阵列的金微板在范德华势阱中的动力学谱密度, 实线为朗之万仿真结果, 虚线为两种准简谐近似结果(Chen et al. 2024)

图 11 (a) 卡西米尔扭矩测量装置(Somers et al. 2018); (b) 范德华势阱中悬浮板的卡西米尔翻转力矩与已报导的材料介电各向异性致卡西米尔扭转力矩, 纵坐标为单位面积力矩刚度系数(Somers et al. 2018,2015,2017;Broker et al. 2021;Munday et al. 2005;Thiyam et al. 2018;Chen et al. 2020;Jiang et al. 2023); (c) 一维光栅结构相互作用示意图(Antezza et al. 2020); (d) 相互作用的正四面体(Reid 2009)

图 12 (a) 一维碳链在不同晶格常数下的多体色散本征模态频谱(Ambrosetti et al. 2016), (b)不同能量本征模态的极化模式示意图(Ambrosetti et al. 2016), (c) 平行链碳间范德华能与间距幂律关系(Ambrosetti et al. 2016)

图 13 (a) 三层类石墨烯结构间范德华作用示意图, #1、#2和#3表示AB、CA和AB堆垛的类石墨烯材料, 黑色和灰色波浪线代表不带屏蔽和带屏蔽的范德华作用(Liu et al. 2018); (b) 层#1与层#3间未被屏蔽范德华能的比例与层间距的关系(Liu et al. 2018); (c) 半无限厚h-BN板间范德华能被中间硅板屏蔽比例与间距关系(Yang et al. 2021); (d) 碳纳米管与封装其中的两个氙原子结构示意图(Stöhr et al. 2021); (e) 不同环境下两个氙原子间范德华能与间距关系(Stöhr et al. 2021)

图 14 (a) 宏观摩擦机械啮合模型; (b) 摩擦附在周期性分子势能面上的黏-滑过程(Zhong & Tomanek 1990); (c) 流体内部球体受热力学涨落致随机碰撞, 蓝色表示流体分子; (d) 离子-基底间电子摩擦的焦耳热模型, 基底表层诱导的分布电荷跟随离子移动; (e) 吸收介质电磁涨落致上方离子的电子摩擦示意图, 波浪线表示随机电磁场; (f) 中性原子涨落偶极矩致范德华作用示意图