微电子所入选知识产权强国建设典型案例：从“跟跑者”到“领跑者”的创新之路

微电子所入选知识产权强国建设典型案例：从“跟跑者”到“领跑者”的创新之路

近日，中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）凭借其在知识产权方面的卓越表现，成功入选知识产权强国建设第三批典型案例。这一成就不仅展示了我国在半导体领域的自主创新实力，更为全球科技的进步注入了新的活力。

微电子所秉持“专利导向的研发”战略，紧密围绕集成电路领域“卡脖子”核心问题，将关键核心技术攻关与高质量专利创造结合起来，聚焦原创性“根技术”研发，开展层次化专利创造，强化系统性专利布局，促进了科技成果的高水平转化。

近年来，微电子所以高质量专利创造为基础，许可、转让专利超3000件，实现收益达数十亿元。在FinFET技术领域，微电子所的专利质量已位列全球第一，超越了全球著名的半导体公司英特尔、IBM等。如今，在FinFET领域，微电子所已向国际巨头企业实现批量专利许可并开展技术合作，这是国内集成电路先进制造核心专利首次向国际巨头企业批量许可使用，极大提升了我国集成电路产业在国际环境中的话语权。

微电子所建立了专业化的知识产权专家和专员团队，他们与技术专家和专利代理师协同合作，用知识产权战略指导前瞻性技术研发，并对相关技术进行系统性、层次化的专利布局。

经过十余年攻关，微电子所在集成电路22纳米至14纳米、7纳米及以下先进制造领域取得突破性进展，在高κ/金属栅、FinFET、纳米环栅器件、新原理器件等核心技术领域提交发明专利申请1900余件，其中国外专利申请506件。仅在高κ/金属栅和 FinFET两个关键核心技术领域，微电子所申请的专利就被英特尔等半导体企业引用达8000余次。

微电子所实现了多种模式的高水平科技成果转化，包括开展存量专利价值评估分级、参加专利开放许可试点、与知识产权运营机构合作、探索共建专利池等。

近十年来，微电子所与产业链上下游20余家龙头企业开展协同技术攻关、共建研发中心/实验室等，与企业共同申请专利上千件；与行业内头部企业进行产学研融合创新，助力其成功研发三维堆叠新技术，成为我国集成电路产业自主创新发展的重大标志性成果。此外，微电子所还与多家国内知名高校和企业共同发起组建了目前国内规模最大的集成电路专利池，入池专利总数超过2万件，为产业发展构建知识产权风险防御体系。

微电子所将持续强化高价值专利创造和运用机制，实现政产学研协同创新，构建集成电路产业发展命运共同体，推动重大成果转化运用和技术迭代升级，为我国集成电路产业可持续发展保驾护航。