3N60AL-TF3-T-VB：一款高性能单N沟道MOSFET晶体管详解

3N60AL-TF3-T-VB：一款高性能单N沟道MOSFET晶体管详解

3N60AL-TF3-T-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管（MOSFET），专为各种电子应用中的高效能管理而设计。采用 TO-220F 封装，该 MOSFET 具有卓越的热性能和可靠性，适用于各种严苛的环境。

详细参数说明

• 封装：TO-220F
• 配置：单 N 沟道
• VDS（漏极-源极电压）：650V
• VGS（栅极-源极电压）：±30V
• Vth（栅极阈值电压）：3.5V
• RDS(ON)（导通电阻）：2560mΩ @ VGS = 10V
• ID（持续漏极电流）：4A
• 技术：平面

应用示例

1. 电源开关：3N60AL-TF3-T-VB 可以用于开关电源和变换器中的功率开关，有效地控制和转换电能，提高系统效率。
2. 照明系统：在 LED 照明系统中，该 MOSFET 可以用作驱动器，控制 LED 的亮度和工作模式，提供高效的照明解决方案。
3. 电动汽车充电器：由于其高耐压和低导通电阻，3N60AL-TF3-T-VB 适用于电动汽车充电器中的功率开关，实现高效能的电能转换。
4. 工业电机控制：在工业领域，该 MOSFET 可以用于控制各种类型的电机，提高工业设备的效率和可靠性。
5. UPS 系统：在不间断电源系统中，3N60AL-TF3-T-VB 可以用作功率开关，确保在停电时提供可靠的电能备份。

通过在这些应用中使用 3N60AL-TF3-T-VB MOSFET，设计者可以实现改进的性能、能效和可靠性，确保其电子系统的最佳运行。