我国半导体制造核心技术取得重大突破，打破国外垄断

我国半导体制造核心技术取得重大突破，打破国外垄断

引用

澎湃

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https://m.thepaper.cn/newsDetail_forward_28716384

近日，国家电力投资集团有限公司（以下简称“国家电投”）所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这一突破标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环。

工程师进行晶圆离子注入生产

据国家电投介绍，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。

面对外国关键技术及装备封锁的不利条件，核力创芯坚持自力更生，自主创新，在不到三年的时间里，突破多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。

首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。

这一突破不仅填补了我国半导体产业链中的重要空白，更为我国半导体产业的高端化发展注入了新的动力。

本文原文来自澎湃新闻