氢离子注入技术突破！中国半导体产业迎来新里程碑
氢离子注入技术突破！中国半导体产业迎来新里程碑
近日，国家电力投资集团有限公司（以下简称“国家电投”）所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。这一突破标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺，补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环。
氢离子注入技术：半导体制造的关键环节
在集成电路制造流程中，前道工序（FEOL）是为了将芯片电路设计图从掩模转移到硅晶圆上，以实现预定的芯片功能。前道工序包括十余项工艺，主要有：扩散、氧化、涂胶、光刻、显影、刻蚀、离子注入、去胶、退火、薄膜沉积和抛光等。
其中，氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用。该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展，特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。
核心技术突破：100%自主技术和装备国产化
面对外国关键技术及装备封锁的不利条件，核力创芯坚持自力更生，自主创新，在不到三年的时间里，突破多项关键技术壁垒，实现了100%自主技术和100%装备国产化，建成了我国首个核技术应用和半导体领域交叉学科研发平台。
首批交付的芯片产品经历了累计近万小时的工艺及可靠性测试验证，主要技术指标达到国际先进水平，获得用户高度评价。这一突破不仅填补了我国半导体产业链中的重要空白，更为我国半导体产业的高端化发展注入了新的动力。
打破垄断：为半导体产业链补上关键一环
我国半导体产业近年来虽取得长足进步，但面对全球竞争，尤其是高端市场的争夺，仍面临诸多挑战。尤其是在氢离子注入等关键技术领域，长期依赖进口的局面使得我国半导体产业链存在明显短板。据统计，我国每年进口的高压功率芯片价值高达数百亿元，这一状况不仅增加了产业链的风险，也限制了我国在相关高科技领域的自主创新能力。
核力创芯此次技术突破，无疑为我国半导体产业的自主可控之路点亮了一盏明灯。业界专家、客户及媒体对核力创芯的技术突破反响热烈，普遍认为此举是我国半导体产业的重大里程碑，对于打破国际垄断、提升产业竞争力具有重大意义。
未来展望：从“追赶”到“领跑”
随着核力创芯氢离子注入技术的成熟与应用，我们有理由相信，中国半导体产业将迎来新的发展机遇。一方面，该技术有望带动国内相关设备制造、原材料供应等配套产业的升级，进一步完善我国半导体产业链；另一方面，随着国产化芯片的大规模应用，将有力推动电力电子、新能源汽车、航空航天等战略新兴产业的发展，为我国经济转型升级注入强大动力。
同时，这一突破也为我国其他高科技行业提供了示范，证明了通过自主创新实现技术自立的可能性。全社会应进一步提高对半导体技术自主创新的认识，共同营造有利于科技创新的良好环境。中国半导体产业的崛起，正当时！