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晶硅太阳能电池技术

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晶硅太阳能电池技术

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https://www.sohu.com/a/821407712_121806026

晶硅太阳能电池作为光伏电池领域的重要组成部分,凭借其高效率、低成本和成熟的产业链等优势,在新能源领域占据重要地位。本文将详细介绍晶硅太阳能电池的工作原理、技术分类、主要技术路线以及检测技术在光伏领域的应用。

太阳能电池作为绿色能源的代表,不仅有助于减少对化石燃料的依赖,还能降低温室气体排放,对实现可持续发展具有重要意义。随着技术的不断突破和成本的降低,光伏电池,作为一种将太阳光直接转换为电能的技术,已经成为新能源领域的重要组成部分。晶硅电池作为一种传统的光伏电池,在光伏电池领域仍然占据着主导地位,其技术发展和市场应用均非常成熟,由于其高效率、低成本、成熟的产业链等优势,仍具有一定的市场空间。

太阳能电池利用半导体PN结的光生伏特效应,当电池受到阳光照射时,光与硅相互作用产生光生载流子,所产生的电子空穴对会被PN结中的空间电荷区所形成的内生电场分离,正负电荷分别被上下电极收集,由电荷聚集所形成的电流通过金属导线流向电负载。目前市场上的主流商业化光伏电池,一般都是由导电类型为P型与 N型的半导体组合而成的PN结结型太阳电池。这种电池主要由P 型半导体、N 型半导体、电极、减反射膜等结构构成。

太阳能电池按技术分类可以分成晶硅、薄膜、叠层三类:
1、晶硅电池包含多晶硅和单晶硅;
2、薄膜电池可分为非晶硅、化合物薄膜;
化合物薄膜可具体分为钙钛矿、有机、Ⅲ-Ⅴ族(GaAs、InP)、硫族(CdTe、CIGS);
3、叠层电池分为碲化镉/晶硅叠层、钙钛矿/晶硅叠层

晶硅电池主要技术路线

载流子复合会限制开路电压和光电转换效率,晶硅太阳能电池的表面钝化技术是提高电池效率的关键手段之一。常见的晶硅太阳能电池表面钝化技术有SiNx薄膜钝化,SiO2和SiO2/SiNx叠层钝化,隧穿氧化层钝化等,SiNx薄膜钝化可以使游离的氢原子扩散到界面与硅悬挂键结合,降低表面的界面态密度,达到降低表面复合速率的效果,同时也能降低反射率;SiO2和SiO2/SiNx叠层钝化可以对硅片表面形成化学钝化,Al2O3薄膜与硅接触面具有高的固定负电荷,通过屏蔽p型硅表面的少数载流子–电子表现出良好的场钝化特性。

以目前主流的N型TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)技术为例,通过优化材料的能带结构、减少缺陷和表面态以及设计有效的载流子传输结构,可以有效地减少非辐射复合,提高器件的效率和性能

隧穿钝化接触

在电池背面形成的超薄氧化层和薄层掺杂硅形成了钝化接触结构,降低了Si基底与Poly-Si之间的界面态密度,多数载流子浓度远高于少数载流子,可以有效降低表面复合和金属接触复合。

TOPCon电池结构示意图

检测技术在光伏领域应用

先进的检测技术在光伏电池研究中扮演着至关重要的角色。它不仅能够确保光伏电池产品的质量,还能推动光伏技术的创新和进步。

上图是利用扫描电镜放大太阳能电池表面的绒面结构,这些绒面结构可以增加照射光在硅片表面的反射次数,提高光的利用率。常规的光学观察手段无法达到这么高的放大倍率,利用扫面电镜可以有效观察表面细节并进行精确测量。

利用聚焦离子束-电子束双束FIB制样以及高分辨场发射透射电镜HRTEM等可以实现对半导体失效分析、材料工艺开发。可以表征晶硅电池中超薄氧化层的形貌和成分,对于改善工艺和确定产品实际结构有很大帮助。

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