等离子去胶技术详解：原理、优势及应用领域

等离子去胶技术详解：原理、优势及应用领域

等离子去胶技术是一种利用等离子体技术去除物体表面污染物和残留胶层等杂质的过程。该技术具有高效、环保、精准控制等特点，广泛应用于半导体制造、光刻胶去除等领域。本文将详细介绍等离子去胶技术的定义、原理、优势及应用领域。

定义与原理

等离子去胶是利用等离子体技术，通过气体放电产生高能粒子，这些粒子能够解离化学键、改变分子结构，从而有效去除物体表面的污染物、残留胶层等杂质的过程。

在特定压强和电压条件下，通过气辉放电的方式产生等离子体。等离子体由电子、离子、自由基等活性粒子组成，具有很高的能量和反应活性。当等离子体直接喷向被处理表面时，会与表面物质发生化学反应，分解并去除污染物，同时增加表面的活性，提升润湿性和附着力。

优势与特点

• 高效去胶：等离子体的高反应活性使其能够迅速破坏胶体颗粒的结构，实现胶体的去除。
• 环保节能：无需使用化学溶剂，减少二次污染和资源消耗，符合环保要求。
• 精准控制：具备高精度的控制和均匀性控制，确保处理效果的一致性。
• 广泛适用：适用于多种材料和工艺，包括硅片、玻璃片、金属等。

工艺参数与影响因素

等离子去胶的效果受多个工艺参数的影响，包括射频频率、清洗时间、真空压力值以及腔体温度等。这些参数需要根据具体的去胶需求和材料特性进行调整和优化，以获得最佳的去胶效果。

岱美设计生产的先进干法去胶、掩膜蚀刻系列产品，可用于大批量去胶与大剂量离子注入后去胶，同时还可用于各种硬掩膜层干法蚀刻。微波等离子清洗，等离子去胶工艺拥有低污染颗粒，低成本大规模量产，高均匀性与高可复制性等工艺特征。采用高度模块化设计，为广大客户提供多样灵活配置方案，满足不同的先进制程要求。

等离子去胶应用领域

1. LDI后光刻胶去除
2. 光刻胶、聚合物去除（灰化）
3. 大剂量离子注入后光刻胶去除
4. 二氧化硅、氮化硅、氮化钛掩膜蚀刻
5. 碳化硅、氮化镓、钽酸锂、磷化铟材料工艺
6. 射频滤波器BAW，SAW生产工艺中光刻胶去除
7. MEMS应用、晶圆级封装（PR、PI、BCB、PBO）