MOS管驱动电路详解：四种常见驱动方式及应用场景

MOS管驱动电路详解：四种常见驱动方式及应用场景

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）因其低导通内阻和快速开关速度，在开关电源中得到广泛应用。而要充分发挥MOS管的性能，其驱动电路的设计至关重要。本文将介绍几种常用的MOS管驱动电路类型，帮助读者更好地理解和应用这些电路。

一、电源IC直接驱动

电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，但需要注意以下几个参数及其影响：

1. 查看电源IC手册中的最大驱动峰值电流，因为不同芯片的驱动能力存在差异。
2. 了解MOS管的寄生电容（如图中的C1、C2），这些寄生电容越小越好。如果C1、C2的值较大，MOS管导通所需的能量也会增加。如果电源IC的驱动峰值电流不足，会导致管子导通速度变慢，影响整体性能。

二、推挽驱动

当电源IC的驱动能力不足时，可以采用推挽驱动方式。这种驱动电路的主要优点是能够提升电流提供能力，快速完成对栅极输入电容的充电过程。虽然这种拓扑会增加导通所需的时间，但可以减少关断时间，使开关管能够快速开通并避免上升沿的高频振荡。

三、加速关断驱动

MOS管通常具有慢开快关的特点。在关断瞬间，驱动电路需要提供一个尽可能低阻抗的通路，以便栅源极间电容电压能够快速泄放，从而保证开关管能够快速关断。

为了实现栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻（Rg2）和一个二极管（D1），如图所示。其中D1常用的是快恢复二极管。这种设计可以减小关断时间，同时减少关断时的损耗。Rg2的作用是防止关断时电流过大，避免烧毁电源IC。

上图展示了一个实际应用的电路，该电路已成功量产上万台，推荐使用。使用三极管来泄放栅源极间电容电压是一种常见的做法。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容会被短接，从而在最短时间内释放完电荷，最大限度地减小关断时的交叉损耗。

此外，这种设计还有一个好处，即栅源极间电容上的电荷泄放时电流不会经过电源IC，提高了系统的可靠性。

四、隔离驱动

为了满足高端MOS管的驱动需求，经常会采用变压器驱动方式。如图所示的电路中，R1的作用是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成的LC振荡，而C1则用于隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。

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