西电团队开发新型柔性硅纳米膜突触晶体管，可承受1万次弯折

西电团队开发新型柔性硅纳米膜突触晶体管，可承受1万次弯折

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腾讯

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https://new.qq.com/rain/a/20250209A03FQ100

西安电子科技大学集成电路学部刘琛副教授团队与北京大学深圳研究院香港中文大学（深圳）张敏团队合作，在Advanced Materials期刊发表最新研究成果。研究团队开发了一种超柔性硅纳米膜突触晶体管，为下一代可穿戴神经形态电子设备的发展提供了新的可能性。

这种柔性硅纳米膜突触晶体管具有超强的耐用性，即使在曲率半径仅2.2毫米的情况下经历10000次弯折循环，其电学性能依然保持稳定。这一特性使其非常适合应用于运动时佩戴的健康监测设备以及各种灵活的智能穿戴配件。

研究团队通过调控栅极脉冲电压和宽度，使晶体管能够像神经元一样精准控制突触后电流，从而模拟生物神经网络的学习与记忆过程。此外，该器件在长时程特性中展现出卓越的线性度，手写数字识别准确率高达93.2%，显示了其在人工智能硬件领域的巨大潜力。

这项研究为可穿戴神经形态电子设备的系统集成和应用提供了一种有潜力的候选器件，有望推动相关领域的技术进步。

论文信息：
Ultra-Flexible High-Linearity Silicon Nanomembrane Synaptic Transistor Array
期刊：Advanced Materials
影响因子：30.2
通讯作者：刘琛副教授和张敏教授