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高性能硅基绿光Micro-LED微显示芯片研究取得突破性进展

创作时间:
作者:
@小白创作中心

高性能硅基绿光Micro-LED微显示芯片研究取得突破性进展

引用
科学网
1.
https://blog.sciencenet.cn/blog-3406013-1471628.html

数字互联网技术的飞速发展,推动了显示技术不断转型升级,微型化和高度集成化成为智能显示技术发展的新趋势。近年来,随着虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等微型显示应用的兴起,移动互联网技术进入元宇宙时代,将对显示技术在能耗、亮度、可靠性、可穿戴等方面提出更高的要求,追求数字显示的实时、动态、自然、和谐。在此背景下,基于微型发光二极管(Micro-LED)的显示技术应运而生,填补了传统微显示技术在分辨率和亮度等关键指标上的短板,被公认为下一代微显示技术的重要发展方向。

作为最重要的直接带隙光电半导体,氮化镓(GaN)具有高光效、高功率、高击穿场强、高工作温度和高饱和电子漂移速率等优良光电特性,是Micro-LED微显示技术开发的关键材料平台。基于GaN的Micro-LED微显示技术已经成为全球学术研究和产业开发的热点,但由于材料晶体质量限制(特别是红绿波段)以及芯片微缩化后侧壁损伤所带来的性能急剧衰减难题,现有的Micro-LED微显示屏在亮度、像素密度和均匀性方面难以达到实际应用的要求。同时,Micro-LED微显示的规模应用要求对制程良率、器件可靠性、和生产成本严格控制。硅衬底GaN基Micro-LED外延片具有大尺寸、衬底易剥离、与CMOS工艺兼容等核心优势,被公认为Micro-LED微显示技术的最佳产业化路线。然而,GaN基Micro-LED晶圆制程难度很大,面临一系列的技术和工艺挑战,目前成功的案例尚鲜有报道。

针对以上难题,湖南大学潘安练教授和李东教授团队联合诺视科技、晶能光电等合作者,成功开发了高质量晶圆材料外延工艺、非对准键合集成技术和原子级侧壁钝化技术,实现了高性能硅衬底GaN基绿光Micro-LED微显示芯片的晶圆制造,实现了目前公开报道最高亮度的绿光Micro-LED微显模组。相关结果以“Ultra-high brightness Micro-LEDs with wafer-scale uniform GaN-on-silicon epilayers”为题在《Light: Science & Applications》上发表。

高质量硅基绿光Micro-LED外延材料

研究团队开发了一种“Ga原子表面活性剂辅助生长”方法,在1100℃中等温度条件下生长高质量AlN缓冲层,并制备出具有低位错密度(~5.25×108 cm-2)、低翘曲(16.7 μm)和优良波长均匀性(标准差0.939 nm)的绿光Micro-LED外延结构(如图1所示)。该技术已成功拓展至6/8英寸硅衬底GaN晶圆。

图 1. (a)4英寸外延片实物图及外延结构示意图;(b)GaN(002)/(102)双晶的HRXRD摇摆曲线;(c)和(d)分别为外延片翘曲度和光致发光主波长mapping图。

超高亮度Micro-LED器件

基于高质量硅衬底GaN基绿光外延材料,研究团队开发了一种Micro-LED侧壁的湿法修复和粗化技术,利用碱性溶液对GaN材料极性面和非极性面的腐蚀速率存在各向异性的特点,成功去除了Micro-LED侧壁刻蚀损伤,并结合原子级侧壁钝化,有效降低了侧壁非辐射复合速率。该技术同时实现了出光面的深亚微米级粗化,有效提升了Micro-LED的光提取效率。如图2所示结果表明,湿法修复和粗化技术实现了Micro-LED亮度的大幅提升。像素尺寸为5 μm的Micro-LED微显示阵列最高发光亮度可达107 Cd/m2。

图 2. (a)侧壁钝化处理后的发光像素SEM图;(b)Micro-LED器件亮度曲线图;(c)晶圆级光刻像素后的实物图(上),Micro-LED显示屏点亮照片(下),插图为30×30发光像素矩阵。

高分辨率、高均匀性Micro-LED微显示屏

研究团队进一步开发了垂直非对准键合集成技术,成功构建了与硅基CMOS紧密集成的可独立寻址的Micro-LED显示芯片。如图3所示,0.39英寸显示屏具有优异的亮度均匀性,标准差仅为720 Cd/m2(2.2%),像素密度高达3400 PPI,实现了图片和视频的高清显示。

图 3. (a)Micro-LED与CMOS驱动集成示意图;(b)芯片像素单元FIB测试剖面图;(c)0.39英寸显示屏亮度均匀性mapping图;(d)湖南大学logo照片高清显示效果图。

本工作基于高质量的硅衬底GaN基Micro-LED外延材料,开发了包括湿法处理技术、原子级钝化技术和垂直非对准键合技术的Micro-LED晶圆制程,成功制备出超高亮度的Micro-LED微显芯片,并实现了与硅基CMOS的高密度互联集成,为Micro-LED微显示芯片的规模化制造和应用提供了重要支撑。

本文原文发表于《Light: Science & Applications》,论文链接:https://www.nature.com/articles/s41377-024-01639-3

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