西安电子科技大学攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术

西安电子科技大学攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术

引用

IT之家

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https://www.ithome.com/0/781/157.htm

西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心研究团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。

研究团队攻克了≥1200V超薄GaN（氮化镓）缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs设计与制造、可靠性加固、高硬度材料封测等整套量产技术，成功开发出阈值电压超过2V、耐压达3000V的6英寸蓝宝石基增强型e-GaN HEMTs晶圆。该研究发表在《IEEE Electron Device Letters》上并入选封面highlight论文。

6英寸蓝宝石基增强型e-GaN HEMTs晶圆

在该项目的研究中，研究团队还成功研发了8英寸GaN电力电子芯片，首次证明了8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆量产的可行性，并打破了传统GaN技术难以同时兼顾大尺寸、高耐压、低成本的国际难题，被国际著名半导体行业杂志《Semiconductor Today》专题报道。