中国芯片制造新突破：5纳米工艺量产在即

中国芯片制造新突破：5纳米工艺量产在即

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CSDN

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https://blog.csdn.net/AUZ3y0GqMa/article/details/138174425

近日，有消息称北京一家企业正在研发一种利用现有光刻机生产5纳米工艺的技术，预计很快就能实现量产。这一突破性进展的核心技术是自对准四重图案化（SAQP）技术，该技术曾被台积电用于7纳米工艺，Intel也曾尝试应用。

在芯片制造领域，多重曝光技术最早由Intel探索应用。2014年，Intel已实现14纳米工艺的量产。2016年，当ASML尚未量产EUV光刻机时，Intel就试图通过DUV光刻机结合多重曝光技术来提升晶体管密度，以研发10纳米工艺。然而，这一尝试并未成功，直到EUV光刻机量产之后，Intel才重新采用该技术生产10纳米工艺。

台积电在7纳米工艺上采取了不同的策略。为了尽快实现量产并确保工艺稳定，台积电最初使用DUV光刻机进行生产。与此同时，三星则率先采用了EUV光刻机生产7纳米工艺。最终，台积电在充分掌握7纳米技术后，再引入EUV光刻机进一步提升工艺性能。

业界普遍认为Intel的10纳米工艺与台积电和三星的7纳米工艺相当，这也引发了对芯片制造商是否在"玩数字游戏"的质疑。值得注意的是，台积电的10纳米工艺几乎成为过渡性技术，在7纳米工艺量产之后，芯片企业往往选择直接采用7纳米工艺，而跳过10纳米这一代。

北京这家企业的突破性进展，如果能够实现量产，将为中国芯片制造技术带来重大突破，有望在不依赖先进光刻机的情况下实现5纳米工艺的量产。