碳化硅巨头“弃子保帅”，市场厮杀升级
碳化硅巨头“弃子保帅”，市场厮杀升级
碳化硅（SiC）作为新一代功率半导体材料，正在全球范围内掀起一场技术革命。然而，昔日的行业巨头Wolfspeed却因激进扩张策略陷入困境，不得不关闭6英寸晶圆厂并推迟德国建厂计划。与此同时，全球各大厂商正加速向8英寸晶圆升级，以降低成本并抢占市场先机。中国企业在这一轮技术变革中展现出强劲实力，有望实现弯道超车。
昔日巨头跌落神坛
在2024财年财报密集披露之际，碳化硅行业巨头Wolfspeed的表现令人瞩目。该公司不仅营收不及预期，还陷入了亏损最严重的财年。财报显示，2024财年，Wolfspeed累计净亏损8.64亿美元，较2023财年扩大162%；第四财季的毛利率大幅下滑，从去年同期的29%降至1%。截至美东时间8月30日休市，Wolfspeed每股报9.75美元，较2021年11月峰值的139美元跌超近93%。
这一疲软的财报表现源于Wolfspeed对碳化硅产业的持续高投入和高支出，以及较低的回报率。尽管该公司从2021年开始规划了多项产能建设项目，并实施了一项总投资达65亿美元的产能扩张计划，但回报率与巨大投入远未实现平衡。目前，其8英寸产能大部分处于闲置状态，产能利用率仅在20%左右。
碳化硅加速向8英寸升级
成本一直是碳化硅上车的最大阻碍之一。碳化硅晶圆尺寸越大，单位芯片成本越低。从6英寸往8英寸方向升级，是碳化硅关键的降本路径之一。根据碳化硅衬底制造商天科合达给出的数据，从4英寸衬底升级为6英寸衬底的单位成本可降低50%，而6英寸衬底升级为8英寸衬底的单位成本可再降低35%。
在市场层面，虽然欧美电动汽车市场陷入疲软，特斯拉去年也宣布减少碳化硅用量，但总体上新能源化是不变的大趋势。尤其在国内市场上，碳化硅早已成为整车厂比拼配置的竞争点。蔚来、理想、小鹏、小米、岚图、智己、比亚迪、长城等多数车企均推出了800V碳化硅高压平台，并渐有标配之势。
聚焦到上游供应链，不止Wolfspeed，国内外各大功率半导体大厂在过去几年密集投资布局8英寸碳化硅生产线，且已逐步进入落地阶段。就在上个月，英飞凌宣布其位于马来西亚居林的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂一期项目正式启动运营。该厂将于今年底开始生产碳化硅产品，预计2025年可实现规模量产。
意法半导体规划今后三年在SiC领域有三个工作重点，其中就包括将生产线升级到8英寸晶圆。按其计划，明年第三季度意大利卡塔尼亚的SiC晶圆厂将过渡到8英寸，新加坡的晶圆厂随后也将过渡到8英寸。而其在中国的合资工厂——三安意法半导体项目，更是加快了投产速度。
国内企业欲与国际巨头“比肩”
盖世汽车研究院数据显示，目前，全球已有30余家企业完成了8英寸SiC的研发，其中，大多数企业计划在2024-2026年期间进行量产。国内企业也不甘落后，增资扩产不停，并向8英寸迈进。
晶升股份第一批8英寸碳化硅长晶设备已于2024年7月在重庆完成交付。天科合达的二期扩建项目，旨在扩大碳化硅衬底产能，增设6-8英寸生产线及研发中心。项目投产后，预计将实现年产约371,000片导电型碳化硅衬底，包括23.6万片6英寸和13.5万片8英寸导电型碳化硅衬底。
三安光电全资子公司湖南三安半导体总投资额达160亿元的中国首条碳化硅全产业链生产线项目也迎来了重要进展。7月24日，湖南三安半导体举行了二期芯片厂的新厂房启用及新设备移入仪式，意味着该企业打造的碳化硅二期项目即将通线。
天岳先进发布公告，将募集资金3亿元，用于投资8英寸车规级SiC衬底制备项目。士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目开工，总投资120亿元，分两期建设，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。
相关业内人士表示，从衬底角度来看，2024年仍处于8英寸衬底技术完善、工艺稳定和量产能力提升的关键阶段，要想真正实现8英寸衬底的规模化交付大概还需要1年的时间。从2025年年初开始，已建成投产的8英寸器件线会逐步释放订单需求，并在2025年底至2026年初需求提升更为明显。
眼下，碳化硅市场是最为火热的赛道之一。随着行业内卷加剧，SiC已慢慢进入到了产能和价格拼杀阶段，各玩家对这个市场话语权与附加值的争夺也明显愈演愈烈。特别是中国新能源汽车市场这片沃土，正不可避免受到来自全球功率半导体大厂的“虎视眈眈”。
根据乘用车市场信息联席会发布的数据，7月，国内新能源乘用车市场单月零售渗透率首次超过了50%。另结合盖世汽车研究院数据，未来，随着新能源汽车的增长，以及SiC在新能源汽车中逆变器、OBC、DCDC、电动压缩机的应用比例增加，预计到2030年，国内SiC功率半导体市场规模将超过210亿元。
在昔日巨头Wolfspeed豪赌式扩张策略的前车之鉴下，面对愈发白热化的竞争态势，如何在变局中，打下全新排位赛，正成为各玩家需思考的问题。