国内HBM开发取得进展：两家存储器制造商跟进，目标2026年生产HBM2

国内HBM开发取得进展：两家存储器制造商跟进，目标2026年生产HBM2

引用

网易

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https://www.163.com/dy/article/J2AOTDM805118EDB.html

近年来，随着人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的快速发展，高带宽内存（HBM）的需求急剧上升。作为这一领域的全球领导者，三星、SK海力士和美光正在加速开发新产品并积极扩张产能。与此同时，国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储也在积极布局HBM制造领域，以应对未来AI和HPC领域的应用需求。

据Trendforce报道，国内存储厂商武汉新芯（XMC）和长鑫存储（CXMT）正处于HBM制造的早期阶段，主要是为了应对未来人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了HBM样品，并向潜在的客户展示。

HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然美国没有限制HBM芯片的出口，但是HBM3芯片使用了美国的技术制造。

本文原文来自网易新闻