国内第四代半导体氧化镓技术迎新进展

国内第四代半导体氧化镓技术迎新进展

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当前，第三代半导体在碳化硅、氮化镓的带领下如火如荼发展，与此同时第四代半导体也在悄然积蓄力量。

第四代半导体是指以氧化镓、氮化铝、锑化镓、锑化铟为代表的半导体材料，具备体积小、能耗低、功能强的特点，能在苛刻的环境条件下更好地运用在光电器件、电力电子器件中。

基于上述优势，业界看好第四代半导体前景，国内相关厂商也频繁展开相关研究，并取得了一定成功，主要表现在氧化镓领域。

据集邦化合物半导体不完全统计，近段时间，包括镓仁半导体、铭镓半导体、富加镓业等公司氧化镓研究传出新进展。

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镓仁半导体
2月12日，镓仁半导体宣布实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂。该VB法氧化镓长晶设备及工艺包已全面开放销售。

镓仁半导体VB法4英寸导电型氧化镓单晶底面 source：镓仁半导体