DRAM和SRAM的区别？它们是如何存储信息的？

DRAM和SRAM的区别？它们是如何存储信息的？

引用

CSDN

1.

https://m.blog.csdn.net/weixin_64593595/article/details/144982076

DRAM（动态随机存取存储器）和 SRAM（静态随机存取存储器）是两种常见的随机存取存储器，它们在工作原理、结构、速度、功耗和用途等方面有显著区别：

工作原理

DRAM：
使用电容存储数据，电容充电表示“1”，放电表示“0”。
电容的电荷会随时间逐渐泄漏，因此需要定期刷新（Refresh）来维持数据。
数据存储需要较复杂的控制电路，用于刷新操作。

SRAM：
使用由多个晶体管（通常为6个）组成的触发器（Flip-Flop）来存储数据。
不需要刷新，只要电源不断，数据就会保持稳定。
电路更简单，不需要外部刷新控制。

存储信息的结构

DRAM：
1个存储单元由1个晶体管和1个电容组成。
数据存储密度高，可以做得非常小。
由于电容泄漏，需定期刷新。

SRAM：
每个存储单元由6个晶体管组成一个静态触发器。
存储单元结构复杂，存储密度低，功耗相对较大。

速度

DRAM：
访问速度较慢，因为读取数据时需要激活存储单元并重新写回数据，同时定期刷新也会占用一定的时间。
动态刷新带来的延迟增加了数据存取时间。

SRAM：
访问速度快，因为存储单元的触发器可以直接保持数据的状态，且不需要刷新。

功耗

DRAM：
静态功耗低，但因为需要定期刷新，动态功耗较高。

SRAM：
无需刷新，因此动态功耗低；但触发器需要持续供电，静态功耗较高。