三极管工作原理：【图文讲解】
三极管工作原理：【图文讲解】
目录
1：三极管的本质
2：三极管内部结构
3：三极管工作原理
三极管全称是“晶体三极管”，也被称作“晶体管”，是一种具有放大功能的半导体器件。通常指本征半导体三极管，即BJT管。三极管分NPN和PNP二种。
三极管有三极：
基极：用于激活晶体管（最早的点接触晶体管有两个点接触放置在基材上，基材形成了底座连接）
集电极：三极管的正极。（因为收集电荷载体）
发射极：三极管的负极。（因为发射电荷载流子）
1：三极管的本质
三极管的本质，是两个PN结的叠加。关于PN结的知识，可以参考：二极管工作原理：【图文讲解】-CSDN博客
2：三极管内部结构
在一块硅片上制造出三个掺杂区域：
左边：掺杂浓度很高的N区，里面有大量的自由电子
中间：掺杂浓度很低并且很薄的P区，里面有少量的空穴
右边：掺杂浓度一般的N区，但是它的面积很大，里面有适中的自由电子
从左到右依次称为发射区，基区，集电区，分别用字母E，B和C表示。
这三个掺杂区域形成了两个PN结，分别叫发射结和集电结。
这个就是NPN三极管的结构，它的电路符号是这个。同理，PNP三极管的结构是这个，电路符号是这个。
3：三极管工作原理
当在BE外部接上电源，使发射结正偏，由于发射区是重度掺杂，所以里面的大量电子穿过发射结扩散到基区，这时形成电流IE，电流方向于电子的运动方向是相反的。
扩散过来的电子有极少的会与基区的空穴的复合，这时会形成基极到发射极的电流IB；由于外部电源的存在，电子和空穴复合会不断的进行。
如果在CE外部再外接一个电源，使集电结反偏，耗尽层增大，这时从发射区扩散到基区没有复合的电子就会穿过集电结到达集电区，这时形成电流IC。
由于到达基区和集电区的电子都是从发射区出来的，所以IE=IB+IC。
由于发射区电子与基区空穴复合的数量远小于从基区到达集电区电子的数量，所以IC是远大于IB的，我们记作
这个β就是三极管的电流放大倍数，一般在100左右，三极管处于放大区时，这个β基本是恒定不变的。
所以我们只有产生一个很小的基极电流就能得到一个比较大的集电极电流，这也就是三极管为什么能放大电流的原因。