我国又一半导体关键技术突破 不亚于光刻技术

我国又一半导体关键技术突破 不亚于光刻技术

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近日，我国半导体产业迎来了一项里程碑式的成就。据国家电力投资集团官方宣布，其下属的国电投核力创芯（无锡）科技有限公司，暨国家原子能机构核技术（功率芯片质子辐照）研发中心，已成功完成了首批氢离子注入性能优化芯片产品的客户交付。这一壮举标志着我国在半导体制造的关键领域——氢离子注入技术上，实现了核心技术和工艺的完全自主掌握，填补了国内半导体产业链的重要空白。

氢离子注入作为半导体晶圆制造中仅次于光刻的关键环节，对于集成电路、功率半导体以及第三代半导体等多种类型产品的制造具有不可替代的作用。长期以来，由于该领域核心技术及装备工艺的缺失，我国半导体产业的高端化发展受到严重制约，尤其是高压功率芯片（600V以上）长期依赖进口。

面对外国技术封锁和装备禁运的不利局面，核力创芯团队在短短三年内，凭借坚韧不拔的科研精神和卓越的技术创新能力，成功突破了多项关键技术壁垒，实现了从技术研发到设备制造的全面国产化。这不仅彰显了我国半导体产业的自主创新能力，也为后续半导体离子注入设备和工艺的国产替代奠定了坚实的基础。

此次交付的首批芯片产品，经过了长达近1万小时的严格工艺和可靠性测试验证，其主要技术指标已达到国际先进水平，并获得了用户的高度评价。这一成果不仅是对我国半导体产业技术实力的一次有力证明，也为我国在全球半导体产业链中争取更多话语权提供了有力支撑。

展望未来，随着氢离子注入核心技术的全面国产化，我国半导体产业将有望摆脱对外依赖，实现更加自主、可控的发展。同时，这也将为我国在高端功率芯片、集成电路等关键领域实现技术突破和产业升级提供有力保障。