年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目在保定启动
年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目在保定启动
2月11日上午，河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。该项目预计总投资8.82亿元，2027年全部投产，对于提升我国第三代半导体的核心技术自主化、产业链高端化、产业集群规模化水平具有重要意义。
8英寸导电型碳化硅晶体。 罗大庆 摄
同光晶体生产车间。
技术人员向参观者进行设备展示。
2月11日上午，河北同光半导体股份有限公司国家企业技术中心揭牌暨年产20万片8英寸碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。“项目预计总投资8.82亿元，2027年全部投产，对于我市提升第三代半导体的核心技术自主化、产业链高端化、产业集群规模化水平意义重大。”该公司董事长郑清超说。
碳化硅单晶作为第三代半导体材料的核心代表，处在碳化硅产业链的最前端，是高端芯片产业发展的基础和关键。面对市场对高性能碳化硅衬底不断增长的需求，同光半导体持续创新，加大科研投入，研发更大尺寸的碳化硅衬底，为中国半导体产业自主可控贡献更多力量。
作为一家登上《2024全球独角兽榜》的高新技术企业，同光半导体始终坚持自主创新。企业立足保定国家高新区，自2012年成立开始，历经8年研发之路，于2020年正式实现大规模量产。回溯其碳化硅建设之路，2021年9月，年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目，在涞源县经济开发区投产，成为保定第三代半导体产业从研发到规模量产的一次成功跨越，其目前还在保定国家高新区厂区布局碳化硅晶体生长炉500余台，并建成具有国际先进水平的碳化硅单晶衬底生产线。
“同光国家级企业技术中心的揭牌，是同光发展历程中的重要里程碑。这是其成立以来获得认定的首个国家级研发平台资质，也是河北省在碳化硅领域，唯一一家获得国家级技术中心的企业。”市发改委创新和高技术发展科科长崔旭说，“近年来，保定研发创新能力显著增强，随着与中国科学院半导体所展开深入合作，成立第三代半导体材料联合研发中心、保定第三代半导体产业技术研究院，同光半导体打破国际壁垒，破解单晶衬底‘卡脖子’问题，实现国家芯片关键材料的自主可控，保定涌动的科技创新力量正不断催生新产业、新模式、新动能，转化为推动高质量发展的新动力。”
（本文图片除署名外，均由曹云鹏 高欣悦摄）