MOSFET器件如何选型？请看看这些方法！

MOSFET器件如何选型？请看看这些方法！

在电子系统设计中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型是一个关键环节，它将直接影响系统的性能、效率和可靠性。本文将为您介绍MOSFET器件选型的三大方法，帮助您做出更合适的选择。

1. 选择P沟道还是N沟道

N沟道MOSFET：适用于低压侧开关，即当MOSFET接地，负载连接到干线电压时。N沟道MOSFET因其型号多、成本低而广泛应用于多种场合。但需注意，当S极（源极）电压不是系统参考地时，需要采用浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路相对复杂。

P沟道MOSFET：适用于高压侧开关，即当MOSFET连接到总线且负载接地时。P沟道MOSFET直接驱动较为简单，但选择型号相对较少，成本较高。

2. 选取封装类型

封装类型选择：MOSFET的封装类型直接影响其散热性能和安装便利性。常见的封装类型包括插入式封装（如DIP、TO、PGA）和表面贴装封装（如D-PAK、SOT、SOP、QFP、PLCC）。此外，还有四边无引线扁平封装（QFN），但主要用于集成电路封装，不适用于MOSFET。

热阻和耗散功率：不同封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率。选择时需考虑系统的散热条件、环境温度、风冷条件以及散热器的形状和大小限制。在保证MOSFET温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的MOSFET。

3. 选取导通电阻RDSon

导通电阻的重要性：RDSon是衡量MOSFET性能的关键参数之一，直接影响器件的导通损耗和效率。RDSon越小，器件的导通损耗越低，效率越高，温升也越低。

选取方法：

1. 计算系统最大损耗：根据输入电压范围、输出电压/电流和效率，计算系统的最大损耗。
2. 估算非功率回路损耗：包括功率回路的杂散损耗、非功率回路元件的静态损耗、IC的静态损耗以及驱动损耗，大致估算其占总损耗的10%～15%。
3. 分配功率损耗：将剩余的功率损耗按一定比例分配到功率器件和变压器或电感中。
4. 计算最大允许导通电阻：根据MOSFET的导通损耗和流过的有效值电流，计算最大允许的导通电阻RDSon。
5. 选取合适的MOSFET：根据25℃下的RDSon参数，选取型号合适的MOSFET，并根据实际参数进行向上或向下修整。