长鑫存储16nm DRAM已量产，下一代15nm DRAM制程也在研发中

长鑫存储16nm DRAM已量产，下一代15nm DRAM制程也在研发中

2025年2月12日，韩国媒体ZDnet Korea援引TechInsights的最新报告，揭示了中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）在存储芯片领域的最新进展。报告显示，长鑫存储不仅跳过了原计划的17nm制程，直接采用16nm制程量产DDR5，而且其下一代15nm制程技术的研发也在稳步推进。

根据TechInsights的分析，长鑫存储最新发布的DDR5模组中使用了16个16Gb的DDR5内存芯片，这些芯片采用16nm制程工艺，位元密度达到0.239Gb/mm²。与上一代18nm制程（G3）相比，新一代16nm制程（G4）的DRAM单元尺寸缩小了20%。

值得注意的是，长鑫存储在开发策略上做出了重大调整。原本计划为首款商用DDR5产品采用17nm制程，但实际量产的产品却采用了更先进的16nm制程。TechInsights指出，这表明长鑫存储在制程技术开发上取得了超预期的进展。

在更先进的制程技术方面，长鑫存储的G5制程（15nm）预计将在2025年底完成开发。尽管受到美国对先进半导体设备出口的限制，长鑫存储仍计划利用现有设备完成下一代制程的开发和量产。TechInsights预测，一旦完成样品测试，G5制程的产品最早可能在2026年下半年上市。

然而，长鑫存储在追求更先进技术的过程中也面临着挑战。下一代DRAM制造需要EUV曝光技术以及高深宽比HAR和低温蚀刻等先进设备，而这些设备目前都受到美国的出口限制。因此，中国方面正在积极推动制程优化和先进制程设备的国产化，以突破技术瓶颈。

从全球竞争格局来看，三星和SK海力士在2019年就已开发出15nm（1z）制程技术，并正在推进12nm（1b）制程的量产。虽然中国与韩国在DRAM制程技术上仍存在差距，但这种差距正在逐步缩小。