MOSFET的主要参数（选型）
MOSFET的主要参数（选型）
在电子电路设计中，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）因其高输入阻抗、低噪声、低功耗和易于集成等优点而得到广泛应用。从微处理器到功率放大器，从开关电源到电机驱动器，MOSFET的身影无处不在。在硬件设计中，器件选型至关重要，需要综合考虑性能、成本和国产化等因素。本文将详细介绍MOSFET的主要参数，帮助工程师在选型时做出明智的决策。
1. 沟道类型选择
N沟道MOSFET：适用于低压侧开关，即当MOSFET接地，负载连接到干线电压时。N沟道MOSFET因其型号多、成本低而广泛应用于多种场合。但需注意，当S极（源极）电压不是系统参考地时，需要采用浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路相对复杂。
P沟道MOSFET：适用于高压侧开关，即当MOSFET连接到总线且负载接地时。P沟道MOSFET直接驱动较为简单，但选择型号相对较少，成本较高。
2. Drain-Source Voltage（最大漏-源电压，VDSS）
漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。最大漏-源电压（额定电压）应略大于实际工作电压，以确保稳定性和可靠性。最大漏-源电压越大，器件的成本就越高。额定电压必须大于干线电压或总线电压，并提供足够的余量以覆盖温度变化范围。
3. Gate-Source Voltage（最大栅-源电压，VGSS）
栅-源额定电压(VGSS)是栅源两极间可以施加的最大电压。其主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。
4. Continuous Drain Current（连续漏电流，IDSS）
连续漏电流（IDSS）定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。ID中并不包含开关损耗，通常情况下datasheet会给出室温(TA)下和管温(TC)下的最大连续直流电流，在管温下的连续漏电流是需要重点考虑的。考虑到连续工作电流和电涌带来的尖峰电流，确保MOSFET能够承受最大电流值。
5. Static Drain-Source On-Resistance（导通电阻，Rds(on)）
导通电阻（Rds(on)）是指MOSFET在导通状态下的电阻，该值直接影响功耗和效率。同一规格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接决定MOSFET的导通损耗，RDS(ON)决越大，损耗越大，MOSFET温升也越高。在较大功率电源中，RDS(ON)损耗占MOSFET整个损耗中较大比例。
6. Gate threshold voltage（开启电压，VGS(TH)）
开启电压VGS(TH)是指当源极与漏极之间有指定电流时，栅极使用的电压。VGS(TH)具有负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。不同电子系统选取MOSFET管的阈值电压VGS(TH)并不相同，需要根据系统的驱动电压，选取合适阈值电压的MOSFET管。
除了以上的主要参数，还有其他一些在设计过程中也需要考虑的参数：雪崩能量、最大栅极脉冲电流、寄生电容还有温度系数。在实际设计中，考虑以上的参数就差不多了。当然还要根据你实际设计中的相关应用和极限参数来决定，希望以上文章对你实际设计和阅读datasheet有所帮助。