PMOS与NMOS的工作原理

PMOS与NMOS的工作原理

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是现代电子设备中使用最广泛的晶体管类型之一。其中，PMOS和NMOS是最基本的两种类型。本文将通过对比它们的结构和工作原理，帮助读者更好地理解这两种晶体管的工作方式。

PMOS与NMOS的结构

此处以增强型PMOS，NMOS为例，通常说的MOS管说的都是增强型MOS管。

上图为PMOS的示意图，衬底为N型半导体，源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了P型杂质 (如硼B)，形成 P+区。N型硅多电子。

上图为NMOS的示意图，衬底为P型硅，衬底源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了N型杂质 (如磷P)，形成 N+区。P型硅多空穴。

NMOS的工作原理

如上图，当栅极没有施加电压时，源极和漏极之间没有电流通过，MOSFET处于关断状态。当栅极施加一个正电压时，该电场会将P型衬底中靠近栅氧的空穴排斥开，同时吸引电子到栅氧下方的区域，形成N型导电沟道。

在漏极 (Drain) 上施加正电压 ，在源极和漏极之间形成电压差。电子从源极经过沟道流向漏极，形成漏极电流，电路导通。通过调节栅电压，可以控制导电通道的宽度，从而调节源极和漏极之间的电流流动。

PMOS的工作原理

PMOS晶体管中，当栅极施加负电压时，N型衬底中的电子被排斥，空穴 (Holes) 被吸引到栅极下方。形成一个P型导电沟道 ，连接源极和漏极，实现空穴流动。当在源极和漏极之间施加电压时，电流可以流动。

本文原文来自Tom聊芯片智造