电场均匀程度对SF6电气强度的影响很大
电场均匀程度对SF6电气强度的影响很大
六氟化硫(SF6)气体因其优异的电气绝缘性能,在电力工程领域得到广泛应用。然而,其电气强度受电场均匀程度的影响显著。本文详细探讨了电场均匀程度对SF6电气强度的影响,并分析了其他影响因素,为SF6气体在电气设备中的应用提供了理论依据。
电场的不均匀程度对SF6电气强度的影响远比对空气的大。六氟化硫具有较高的电气强度,主要是因为其具有很强的电负性,容易俘获自由电子而形成负离子(电子附着过程)。电子变成负离子后,其引起碰撞电离的能力就变得很弱,因而削弱了放电发展过程。
与均匀电场中的击穿电压相比,SF6在极不均匀电场中击穿电压下降的程度比空气要大得多。SF6优异的绝缘性能只有在电场比较均匀的场合才能得到充分的发挥。
在设计以六氟化硫气体作为绝缘的各种电气设备时,应尽可能使气隙中的电场均匀化,采用屏蔽等措施以消除一切尖角处的极不均匀电场,使SF6优异的绝缘性能得到充分的利用。
均匀和稍不均匀电场中SF6的击穿
在讨论SF6电负性气体中的碰撞电离和放电过程时,除了考虑α过程外,还应计及电子附着过程。这可用一个与电子碰撞电离系数α的定义相似的电子附着系数η来表示。η定义为一个电子沿电场方向运动1cm的行程中所发生的电子附着次数平均值。可见,在电负性气体中的有效碰撞电离系数应为:
α = α - η
均匀电场中的电子崩增长规律为:
na = n0 e^(α-η)d
式中:n0-阴极表面处的初始电子数; na-到达阳极时的电子数
这时应该注意:在一般气体中,正离子数等于新增的电子数;而在电负性气体中,正离子数等于新增的电子数与负离子数之和。
由于强电负性气体在实用中所处条件均属于流注放电的范畴,所以这里不再讨论其汤逊自持放电条件,而直接探讨其流注自持放电条件。为此,可参照式(120)写出均匀电场中电负性气体的流注自持放电条件为:
(α - η) = K
实验研究证明:对于SF6气体,常数K=10.5,相应的击穿电压为:
U b = 88.5 pd + 0.38 (kV)
式中:p-气压,Mpa,d-极间距离,mm
在工程应用中,通常pd<1MPa mm,所以上式可近似地写成:
U b ≈ 88.5 pd (kV)
式(216)和式(217)均表明,在均匀电场中SF6气体的击穿也遵循巴申定律。它在0.1MPa(1atm)下的击穿场强 Eb = U b ≈ 88.5kV / cm ,几乎是空气的3倍。
在气体绝缘电气设备中最常见的是稍不均匀电场气隙,例如同轴圆筒间的气隙。
在稍不均匀电场中,极性对于气隙击穿电压的影响与极不均匀电场中的情况是相反的,此时负极性下的击穿电压反而比正极性时低10%左右。冲击系数很小,雷电冲击时约为1.25,操作冲击时更小,只有1.05~1.1。
极不均匀电场中SF6的击穿
极不均匀电场中SF6气体击穿的异常现象与空间电荷的运动有关。我们知道,空间电荷对棒极的屏蔽作用会使击穿电压提高,但在雷电冲击电压的作用下,空间电荷来不及移动到有利的位置,故其击穿电压低于静态击穿电压;气压提高时空间电荷扩散得较慢,因此在气压超过0.1~0.2MPa时,屏蔽作用减弱,工频击穿电压会下降。
影响击穿场强的其它因素
气体绝缘电气设备的设计场强值远低于理论击穿场强,这是因为有许多影响因素会使它的击穿场强下降。此处仅介绍其中两种主要影响因素,即电极表面缺陷和导电微粒。
- 电极表面缺陷 图表示电极表面粗糙度 Ra对SF6,气体电气强度Eb的影响。
可以看出:GIS的工作气压越高,则Ra对Eb的影响越大,因而对电极表面加工的技术要求也越高。
电极表面粗糙度大时,表面突起处的局部电场强度要比气隙的平均电场强度大得多,因而可在宏观上平均场强尚未达到临界值时就诱发击穿。
除了表面粗糙度外,电极表面还会有其它零星的随机缺陷,电极表面积越大,这类缺陷出现的概率也越大。所以电极表面积越大,SF6气体的击穿场强越低,这一现象被称为“面积效应”。
- 导电微粒 设备中的导电微粒有两大类,即固定微粒和自由微粒,前者的作用与电极表面缺陷相似,而后者因会在极间跳动而对SF6气体的绝缘性能产生更大的不利影响。
本文原文来自武汉高压研究所