RTP半自动快速退火炉：进一步优化碳化硅(SiC)表面的氧化层结构

RTP半自动快速退火炉：进一步优化碳化硅(SiC)表面的氧化层结构

碳化硅（SiC）因其优异的热稳定性、高硬度、高耐磨性和良好的化学稳定性而备受关注，特别是在高温、高压和强腐蚀环境下，碳化硅（SiC）展现出卓越的性能，在半导体、核能、国防及空间技术等领域具有广阔的应用前景。

碳化硅氧化工艺的应用

在半导体领域，碳化硅（SiC）氧化工艺作为半导体制造中的关键步骤之一，对于提升碳化硅器件的性能和可靠性具有重要意义。特别是在MOSFET等功率器件中，碳化硅（SiC）表面氧化层的质量直接影响到器件的性能和可靠性，影响着控制器件的阈值电压和漏电流等关键参数。

为了在碳化硅（SiC）表面形成一层氧化物薄膜，需要通过氧化工艺实现。其中，氧化工艺的方法包括热氧化、化学气相沉积氧化和电化学氧化，目前最常用的方法是热氧化方法，通过热氧化工艺，在高温条件下下形成均匀、高质量的SiO₂栅氧化层，从而提升器件的击穿电压、降低漏电流和噪声。

RTP快速退火炉的技术特点

RTP快速退火炉采用先进的加热和冷却技术，能够在极短的时间内将材料加热到预定温度，并在完成退火后迅速冷却降温。在热氧化工艺中，RTP快速退火炉能够确保碳化硅（SiC）材料在短时间内达到所需的氧化温度，从而缩短处理周期，提高生产效率。其次，RTP快速退火炉还能提供均匀的温度分布，确保碳化硅（SiC）材料在退火过程中受热均匀，从而避免产生局部过热或温度梯度导致的质量问题。

RTP快速退火炉在碳化硅氧化工艺中的应用优势

RTP快速退火炉为碳化硅（SiC）氧化工艺提供稳定的高温环境，进一步优化碳化硅（SiC）表面的氧化层结构，同时填补晶格缺陷，降低残余应力，提高氧化物和晶体的结合质量，改善电学性能。

另外，与高温氧化炉对比，RTP快速退火炉处理时间短，效率高，其形成的氧化膜厚更加均匀，能够在提高材料性能的同时实现高效处理。

RTP快速退火炉优势

1. 高效性：具有极快的升温速率，高达100℃/s，能够在短时间内完成退火过程，提高生产效率
2. 精准控温性：灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性
3. 温度均匀性：采用先进的加热和冷却技术，在≥500℃的条件下，温度均匀度可实现≤±1%
4. 灵活性：可扩展至6组工艺气体，根据不同材料的退火工艺需求灵活调整，满足各种应用场景需求
5. 安全性：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全

单腔半自动快速退火炉RTP

RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，以红外可见光加热单片Wafer或样品，工艺时间短，控温精度高，适用 4-12 英寸晶片。先进的温度控制技术，保证良好的重现性与温度均匀性。

行业应用

1. 氧化物、氮化物生长
2. 硅化物合金退火
3. 砷化工艺
4. 欧姆接触快速合金
5. 氧化回流
6. 其他快速热处理工艺