电子元器件术语集
电子元器件术语集
本文整理自京瓷（Kyocera）官网的电子元器件术语集，主要介绍了与功率器件相关的专业术语。内容包括基本封装和安装方法、电磁兼容性相关术语、各类半导体器件及其参数、工作条件和性能指标等。
封装和安装方法
DIP（Dual In-line Package）：将电子元器件安装在印刷基板的方法之一。将电子元器件的焊尾（焊接端子）插入基板的通孔，并将其浸入焊锡槽中进行安装的方法。
SMD（Surface Mount Device）：Surface Mount Device的缩写。称SMT（表面封装）用部件为SMD。
SMT（Surface Mount Technology）：Surface Mount Technology的缩写。将电子元器件安装在印刷基板上的方法之一。在印刷基板表面涂敷焊料，安装部件，然后通过回流炉熔化焊料的安装方法。
回流：将电子元器件安装在印刷基板上时，在熔炉中熔化涂敷在基板上的焊料并安装电子元器件的方法。
电磁兼容性相关术语
EMC（Electromagnetic Compatibility）：Electromagnetic Compatibility的缩写。兼指EMI、EMS的用语。不产生噪音并不受噪音影响。
EMI（Electromagnetic Interference）：Electromagnetic Interference的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障（电磁干扰）。部件本身不产生噪音。
EMS（Electromagnetic Susceptibility）：Electromagnetic Susceptibility的缩写。由于电磁现象的干扰波导致电子设备发生故障。不受外来噪音影响。
半导体器件
二极管：具有整流作用的半导体元件。电流从阳极流向阴极。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。电流控制半导体元件。通过控制栅极电压，控制流动于集电极、发射极间的电流。兼具双极性晶体管与MOSFET的特征。
晶体管：用于电流控制与电流放大的半导体元件的总称。
晶闸管：电流控制用半导体元件。当向栅极‐阴极施加电流时，阳极-阴极之间将过载巨大电流。
工作条件和性能指标
存储温度范围（Tstg）：存储（非工作时）的环境温度保证范围。
工作结温范围（Tjw）：《二极管与晶闸管》工作时的结温保证范围。
热阻（Rth）：在热平衡状态下接合部位与周围之间或接合与管壳之间等2点之间每单位损失的温差。Rth（j-c）：接合与管壳间、Rth（j-l）：接合与导线间、Rth（j-a）：接合与周围间。
电流平方时间积（I²t）：用于计算1ms≦非重复峰值正向电流＜10ms的值。
特殊二极管
快恢复二极管（FRD）：PN接面整流器，具有快速反向恢复时间 (trr)，适用于高频电源整流的二极管。
普通整流二极管：PN接面整流器，用于整流作为交流的商用频率的二极管。
肖特基势垒二极管（SBD）：利用金属电极与半导体接触产生的电位势垒 (肖特基势垒) 的二极管。
晶闸管相关参数
触发栅极电压（VGT）：导通《晶闸管》所需最小栅极电压。
触发栅极电流（IGT）：导通《晶闸管》所需最小栅极电流。
通态浪涌电流（ITSM）：不重复性过载《晶闸管》50Hz正弦波1个周期的最大通态电流的峰值。
重复峰值反向电压（VRRM）：可重复施加的反向电压的峰值/可在阳极与阴极间重复施加的反向电压的峰值。
其他参数
峰值反向电流（IRM）：施加规定的反向电压时过载的反向电流的峰值。
峰值正向电压（VFM）：过载规定的正向电流时的正向电压峰值。
平均整流电流（Io）：在指定的条件下可在商用频率（50Hz/60Hz）下过载的最大平均电流。
平均通态电流（Io）：在《晶闸管》指定的条件下可在商用频率（50Hz/60Hz）下过载的最大通态电流的平均值。
正向不重复浪涌电流（IFSM）：不重复性过载50Hz或60Hz正弦波1个周期的最大正向电流的峰值。
正向方均根电流（IF(RMS)）：可连续通电的正向电流的有效值。
断态重复峰值电压（VDRM）：可在《晶闸管》阳极与阴极间重复施加的断态电压的峰值。
非重复峰值反向电压（VRSM）：可非重复施加的反向电压的峰值。
集电极与发射极间电压（VCES）：可在将《IGBT》栅极与发射极间短路后施加在集电极与发射极间的电压的峰值。
集电极电流（IC）：《IGBT》可连续过载的集电极电流的最大值。
阳极：电流从外部流入的电极（+极）。
阴极：电流流出到外部的电极（－极）。