嵌入式硬件： GPIO与二极管基础知识详解
嵌入式硬件： GPIO与二极管基础知识详解
在嵌入式系统和硬件开发中，GPIO（通用输入输出）是至关重要的控制方式，而二极管作为基础电子元件，广泛应用于信号整流、保护电路等。本文将从基础原理出发，深入解析GPIO的输入输出模式，包括高电平、低电平、高阻态，以及推挽与开漏的区别和实际应用。此外，介绍PMOS与NMOS的基本概念，帮助读者理解其在GPIO控制中的作用。
二极管基础
PN结的单向导电性
二极管的基本原理是PN结的单向导电性。PN结由P型半导体和N型半导体组成，在其内部形成了空间电荷区，使得PN结在无外加电压时处于电荷平衡状态。
当对PN结施加正向电压时：
P区的空穴向PN结方向移动，与N区的电子进行复合，使PN结变窄。
随着外加电压增大，扩散运动增强，漂移运动减弱。
当电压超过门槛电压（硅二极管约0.7V，锗二极管约0.3V），PN结导通，相当于一个小电阻。
当对PN结施加反向电压时：
P区的空穴远离PN结，N区的电子远离PN结，使PN结变宽，无法形成导通。
只有微小的反向饱和电流通过，二极管表现为高阻状态。
MOSFET基础（PMOS与NMOS）
NMOS（N沟道MOSFET）
工作原理：
当栅极电压高于源极电压（Vgs > Vth）时，NMOS导通，电流从漏极流向源极。
当栅极电压低于阈值电压（Vth）时，NMOS关闭，相当于高阻态。
特点：
适用于低侧开关，常用于开漏模式。
当控制信号为高电平时，NMOS导通；低电平时关闭。
PMOS（P沟道MOSFET）
工作原理：
当栅极电压低于源极电压（Vgs < Vth）时，PMOS导通，电流从源极流向漏极。
当栅极电压高于阈值电压时，PMOS关闭，相当于高阻态。
特点：
适用于高侧开关，常用于推挽模式。
当控制信号为低电平时，PMOS导通；高电平时关闭。
GPIO基础
GPIO的输入与输出模式
GPIO（General-Purpose Input/Output）是嵌入式系统中的通用输入输出接口，具有以下基本模式：
高电平（High）
低电平（Low）
高阻态（High Impedance, Hi-Z）
高阻态的作用：
避免影响外部电路，当GPIO处于高阻态时，外部电路不会受到干扰。
与外部上拉电阻配合，让信号线被动拉高到指定电压（如3.3V）。
多个设备共用信号线，如I²C总线，允许多个器件控制同一根线而不会互相影响。
GPIO输入模式
GPIO可配置为输入模式，用于读取外部信号。
上拉输入：内部连接上拉电阻，默认读取高电平。
下拉输入：内部连接下拉电阻，默认读取低电平。
浮空输入：无内部上拉/下拉，受外部电路影响。
GPIO的两种输出模式：推挽与开漏
GPIO的驱动模式主要包括推挽（Push-Pull）和开漏（Open-Drain/Collector）。
4.3.1 推挽输出模式
推挽模式通常由NMOS和PMOS组成，当需要输出高电平时，PMOS导通，NMOS关闭；当需要输出低电平时，NMOS导通，PMOS关闭。
推挽模式的特点：
能够提供较大的输出电流，直接驱动负载。
无需外部上拉电阻，输出驱动能力较强。
适用于直接控制LED、蜂鸣器等负载。
4.3.2 开漏输出模式
开漏模式仅能输出低电平或高阻态，不能直接输出高电平。
开漏模式的特点：
不能直接输出高电平，需要外部上拉电阻。
适用于多个设备共享信号线（如I²C总线）。
适用于不同电压等级的设备互联。
开漏模式的应用
(1) 5V单片机控制3.3V设备
假设GPIO的高电平为5V，而被控制芯片的
ENABLE
引脚仅支持3.3V，则直接使用推挽模式可能损坏芯片。
解决方案：
采用开漏模式，并在外部接3.3V上拉电阻。
当NMOS关闭时，
ENABLE
引脚被拉至3.3V。当NMOS打开时，
ENABLE
引脚被拉至低电平，实现信号匹配。
(2) 多个GPIO控制同一信号
当多个GPIO需要同时控制一个输入引脚时，推挽模式可能导致短路。例如：
GPIO_A输出高电平（3.3V）。
GPIO_B输出低电平（0V）。
结果导致电流短路，损坏器件。
解决方案：
使用开漏模式，外部增加上拉电阻。
当所有GPIO均为高阻态时，
ENABLE
引脚为高电平。只要有一个GPIO输出低电平，则
ENABLE
引脚为低电平。
结论
GPIO是嵌入式系统中最常用的控制接口，其输入模式与输出模式均有不同应用场景。
推挽模式适用于直接驱动负载，如LED、蜂鸣器。
开漏模式适用于不同电压设备互联或多个设备共享信号线，如I²C。
NMOS适用于低侧开关，PMOS适用于高侧开关。
GPIO输入模式可用于读取按键、传感器信号等，需注意上拉/下拉配置。
理解GPIO的输入输出特性，有助于合理配置电路，提高嵌入式系统的可靠性和兼容性。