2024年度中国第三代半导体技术十大进展发布

2024年度中国第三代半导体技术十大进展发布

2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州盛大开幕。此次论坛上，备受关注的2024年度中国第三代半导体技术十大进展正式揭晓。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲发布了2024年度中国第三代半导体技术十大进展。2024年，我国第三代半导体技术与产业发展日新月异。在快速变化的浪潮中，为了更好地把握行业前沿、凸显具有影响力和突破性的进展，为行业发展提供清晰视角，激励更多创新，大会程序委员会倡议，启动2024年度中国第三代半导体技术十大进展评选活动。

此次评选活动共收到39项备选技术，经过程序委员会的投票和综合评议，最终确定了10项技术进展。这些进展涵盖了从材料生长、器件制备到系统应用等多个环节，充分展示了我国第三代半导体技术的最新成果。

2024年度中国第三代半导体技术十大进展

1. 高性能氮化镓（GaN）功率器件技术突破：国内某研究团队成功开发出一种新型GaN功率器件，其开关速度和效率均达到国际领先水平，为新一代电源系统提供了核心器件支持。

2. 碳化硅（SiC）单晶生长技术重大突破：我国科研人员在SiC单晶生长领域取得重要进展，成功制备出高质量、大尺寸的SiC单晶，为SiC器件的规模化生产奠定了基础。

3. 基于氮化镓的高效射频器件研发成功：国内企业研发的GaN射频器件在性能上达到国际先进水平，有望在5G通信和雷达系统中得到广泛应用。

4. 新型宽禁带半导体材料研究取得重要进展：我国科学家在金刚石半导体材料的研究上取得突破，为未来高性能电子器件的发展开辟了新路径。

5. 高效率、高可靠性的SiC功率模块开发完成：国内某企业成功开发出具有自主知识产权的SiC功率模块，其性能指标达到国际先进水平，已在电动汽车中得到应用。

6. GaN基紫外激光器技术取得重要突破：我国科研团队在GaN基紫外激光器的研究上取得重要进展，为光通信和激光加工等领域提供了新的技术选择。

7. 高性能SiC基微波功率器件研发成功：国内研究机构开发出新型SiC基微波功率器件，其输出功率和效率均达到国际先进水平，具有重要的军事和民用价值。

8. 基于GaN的高效能源转换系统开发完成：国内企业开发的GaN基能源转换系统在效率和功率密度上均达到国际领先水平，为数据中心和通信基站的节能降耗提供了新的解决方案。

9. 新型SiC基传感器技术取得重要进展：我国科研人员在SiC基传感器的研究上取得突破，开发出具有高灵敏度和稳定性的新型传感器，为工业自动化和物联网应用提供了新的选择。

10. GaN基高效照明系统研发成功：国内企业开发的GaN基照明系统在光效和寿命上均达到国际先进水平，为绿色照明和智能照明提供了新的技术方案。

此次评选活动不仅展示了我国第三代半导体技术的最新进展，还为行业的发展提供了重要的参考和指引。这些技术进展将有力推动我国第三代半导体产业的快速发展，为我国在这一领域的国际竞争中赢得先机。