电子科技大学Nature发文：硒合金碲氧化物实现高性能非晶P型半导体突破

电子科技大学Nature发文：硒合金碲氧化物实现高性能非晶P型半导体突破

近日，电子科技大学基础与前沿研究院刘奥教授和物理学院朱慧慧研究员在Nature上发表研究论文，提出了一种新颖的碲（Te）基复合非晶P型半导体设计理念，并采用工业制程兼容的热蒸镀工艺实现了薄膜的低温制备，证明了在高性能、稳定的P沟道TFT器件和CMOS互补电路中的应用可行性。通过理论分析，团队揭示了由碲5p轨道组成的高分散价带顶和浅能级受体态，为非晶体系下足量的空穴掺杂和有效空穴传输奠定了重要基础。

这一突破解决了困扰该领域二十余年的技术瓶颈，有望推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成。论文第一单位为电子科技大学基础与前沿研究院，刘奥教授为论文第一作者和通讯作者，电子科技大学物理学院朱慧慧研究员和韩国浦项科技大学的Yong-Young Noh教授为论文共同通讯作者。

刘奥教授团队以我国“十四五”国家重点研发计划在电子信息、新型显示与战略性电子材料等领域的战略需求为牵引，以强化国家战略科技力量为目标，致力于具有重要基础前沿研究价值及重大产业化前景的新型高迁移率、高稳定P型半导体材料及电子器件研究，持续助力我国新一代信息技术的跨越式发展。

刘奥教授，电子科技大学基础与前沿研究院教授、国家青年人才。研究聚焦于新型半导体信息材料的研发及产业制程兼容的电子薄膜和功能器件集成，在新型P型半导体材料开发和薄膜晶体管（TFT）集成方向做出系列开拓、原创性成果，过去10年持续推进该领域研究进展。以第一/通讯作者（含共同）在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Communications等期刊发表论文50余篇，封面论文8篇。论文被引用4800余次，h因子40。授权中、韩发明专利10余项。获得了多项重要奖项，如Gordon Research Conferences“最佳论文奖”（2022年，亚太地区唯一获奖者），中国政府优秀自费留学生奖，韩国信息显示协会“青年领袖奖”等。

朱慧慧研究员，电子科技大学物理学院特聘研究员、博士生导师。主要研究兴趣包括钙钛矿薄膜晶体管等电子器件、新型半导体材料、中长波红外探测等。迄今共发表论文70余篇，其中以第一/通讯作者（含共同）在Nature，Nature Electronics，Nature Communications，Advanced Materials等期刊发表论文30余篇，封面论文7篇。论文被引用3700余次，h因子34。曾获多项重要奖项，如第十七届“春晖杯”中国留学人员创新创业大赛优胜奖、韩国三星“产研结合奖”，美国寰宇显示“技术先驱奖”、中国政府优秀自费留学生奖、韩国信息显示协会奖、浦项制铁亚洲奖学金(POSCO Asia Fellowship)、Ruth L. Satter Fellowship（杰出女性科学家奖学金）等。