硅基半导体：芯片制造的秘密武器

硅基半导体：芯片制造的秘密武器

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1.

https://new.qq.com/rain/a/20240831A06KXQ00

2.

https://blog.csdn.net/sinat_38316216/article/details/132011054

3.

https://m.sohu.com/a/773609854_627432/?pvid=000115_3w_a

4.

https://www.forwardpathway.com/155016

5.

http://www.allinabc.com/?industry/668.html

6.

http://winetch.com/news_v.html?article_id=54

7.

http://www.xingyao-tech.com/xwdt/gsxw/58.html

8.

https://www.ic37.com/news/2025-1_319866/

9.

https://www.ccia.xin/zhuantibaogao/1817.html

10.

https://finance.sina.cn/stock/relnews/us/2024-12-26/detail-ineaueav1309641.d.html?vt=4&pos=108&his=0

11.

http://www.allinabc.com/?industry/659.html

12.

https://m.elecfans.com/article/5420254.html

硅基半导体作为现代芯片制造的核心材料，其重要性不言而喻。然而，随着科技的飞速发展，传统硅基芯片制造正面临着前所未有的挑战。最近，麻省理工学院（MIT）工程师开发出一种新型3D芯片技术，通过垂直堆叠多个晶体管层，突破了传统硅基芯片的局限性，为半导体行业带来了新的希望。

在芯片制造过程中，硅基半导体主要应用于三个关键环节：光刻、刻蚀和薄膜沉积。

光刻是芯片制造中最精细的环节之一，其精度直接影响芯片的性能。在光刻过程中，硅片表面首先需要涂覆一层光刻胶，然后通过掩模版将电路图案曝光到光刻胶上。这个过程类似于摄影中的曝光，通过光的作用将掩模版上的图案转移到硅片上。

刻蚀是芯片制造中另一个关键步骤，用于去除不需要的材料，形成所需的电路结构。目前，主要有两种刻蚀设备：电容耦合等离子体（CCP）刻蚀和电感耦合等离子体（ICP）刻蚀。

薄膜沉积是在硅片上沉积一层待处理的薄膜材料，可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属。薄膜沉积技术主要分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）两大类。

尽管硅基半导体在芯片制造中占据主导地位，但随着技术的发展，其局限性也日益凸显。MIT的研究团队采用过渡金属二硫化物（TMDs）等新材料，不仅提升了晶体管性能，还优化了层间通信效率。这种新型3D芯片技术有望在未来突破传统硅基芯片的限制，为半导体行业带来新的发展机遇。

随着AI应用的普及和计算需求的增加，半导体行业正面临着前所未有的机遇和挑战。MIT的3D芯片技术不仅突破了传统芯片制造的局限性，更为未来AI硬件的发展提供了强大的计算支持。通过新材料和新技术的不断探索，我们有理由相信，半导体行业将迎来更加辉煌的未来。