复旦大学周鹏教授团队在3nm芯片新材料研究中取得重大突破

复旦大学周鹏教授团队在3nm芯片新材料研究中取得重大突破

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太平洋电脑网

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来源

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https://notebook.pconline.com.cn/1762/17627488.html

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https://finance.sina.com.cn/tech/roll/2024-12-29/doc-ineaziep4590336.shtml

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https://mobile.pconline.com.cn/1766/17666228.html

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https://blog.csdn.net/monian000/article/details/136949402

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https://www.semibay.cn/hddt

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https://fiber.ofweek.com/2024-06/ART-210001-8420-30638426.html

复旦大学微电子学院教授周鹏及其团队近期在3纳米新型芯片技术研究上取得重大突破。他们利用二维半导体新材料如硫化钼、硒化钨等构建了模拟硅工艺线的新机制器件实验平台，成功探明了mbcfet（多桥沟道晶场效应晶体管）的技术原理，并开发出模型器件。这些研究成果有望应用于集成电路产业，为未来高性能计算和先进传感器等应用提供动力。

周鹏教授团队的研究成果主要集中在以下几个方面：

1. 二维半导体材料的应用：团队使用硫化钼（MoS2）和硒化钨（WSe2）等二维半导体材料，这些材料具有优异的电学性能和良好的可加工性，是替代传统硅材料的理想选择。二维材料的原子级厚度使其在3nm及以下工艺节点中具有独特优势。

2. mbcfet技术的突破：多桥沟道晶场效应晶体管（mbcfet）是下一代先进制程的关键技术。周鹏教授团队通过实验平台成功验证了mbcfet的可行性，为3nm及更先进工艺的实现提供了重要技术支持。

3. 实验平台的创新：团队开发的模拟硅工艺线的新机制器件实验平台，能够有效评估新材料和新结构在实际工艺中的表现，为未来集成电路的产业化提供了有力保障。

这些研究成果不仅展示了二维半导体材料在先进制程中的巨大潜力，也为3nm芯片技术的突破提供了新的思路和解决方案。随着研究的深入和产业化进程的推进，这些创新技术有望在未来高性能计算和先进传感器等领域发挥重要作用。