第五届新材料大会聚焦半导体技术创新
第五届新材料大会聚焦半导体技术创新
10月16日至18日，第五届中国新材料产业发展大会在湖北省武汉市经开区中国车谷国际体育文化交流中心隆重举行。本届大会以"新质生产力的新材料突破点"为主题，旨在为全国新质生产力建设、加快实现科技强国的宏伟战略目标探索新理念、新方向、新领域和新增长点。
本届大会突破传统模式，创新性地整合了新质生产力源动力-新材料高峰论坛、第五届中国新材料产业发展大会、第二届中国新材料技术应用大会、第三届中国新材料投资大会、2024新材料器件化博览会五大会议，同步推进。大会共设80个分会或论坛方向，涉及关键基础材料、关键能源材料、关键信息材料、生物医用材料、健康舒适材料、环境工程材料和安全工程材料七大类，重点突出前沿新材料的重大突破、产业动向和新型应用，着力服务高新技术、高端制造、重大工程、新兴产业迈向更高的水平。
大会期间，将同步开展"科创中国"特长专家、产业化成果、技术需求三个"一千项推介与对接"服务，挖掘新材料领域的创新资源，促进科技成果向实际应用转化。大会还将开展颠覆性技术报告会、行业领域原创技术推动会、新产品论证发布会、2024新材料器件化博览会等活动，两院院士、重点高校相关学院负责人、国内外新材料领域专家、科研人员、企业家和投资机构代表等齐聚一堂，探讨新材料产业的发展趋势，交流新材料领域的新成果，推动产学研深度融合。
在半导体技术领域，本届大会专门设置了半导体新材料分会，邀请来自中国有研科技集团有限公司、中国科学院理化技术研究所、中国科学院微电子研究所、济南大学、山东大学、元素六、北京石墨烯研究院有限公司等单位的专家学者，就半导体新材料的研究进展和应用前景进行深入交流。分会场主持人国汽轻量化（江苏）汽车技术有限公司产业研究工程师张子军表示，随着新能源汽车渗透率的迅速提升，智能座舱、智能驾驶、人机交互等新技术日新月异，半导体材料及相关元器件将是今后的材料开发与产品研发中的重要内容。
中国有研科技集团有限公司正高级工程师赵鸿滨在报告中介绍了国内外信息领域关键材料，如显示材料、5G通信材料、燃料电池材料的国内外战略布局、国内企业与国外主流企业的技术水平差距、未来发展趋势与发展重点。中国科学院理化技术研究所高级工程师杨增朝则分享了燃烧合成技术制备先进硅基陶瓷粉体如先进结构陶瓷Si3N4、高温超疏水陶瓷Si2N2O、低成本β-SiC气凝胶的最新进展。元素六亚洲战略业务总监秦景霞详细介绍了化学气相沉积法和高温高压法制备金刚石材料及其在功率器件、散热材料、量子信息处理等领域的应用。北京石墨烯研究院有限公司总监徐兴则重点介绍了石墨烯材料在硅光芯片集成、高性能霍尔传感器等领域的潜在应用场景。
中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师张青竹指出，GAA NSFET是FinFET技术之后在3nm及以下节点核心技术结构，其团队研究和开发出的适用于堆叠纳米线器件制备的多周期GeSi/Si叠层外延、纳米线释放、内侧墙工艺、集成热预算评估等关键模块工艺和兼容主流体硅FinFET工艺的堆叠GAA NS CMOS器件与SRAM单元电路，为国内12吋平台实现GAA技术奠定技术基础，并探索和研究新型GAA器件和三维堆叠CFET设计，实现器件性能和电路密度大幅提升。
济南大学研究员逄金波介绍了国际上二维材料的技术发展路径，国内外二维集成电路的进展和晶圆级二维材料制备技术。山东大学副教授穆文祥则分享了氧化镓单晶生长及缺陷研究的最新成果。
第五届中国新材料产业发展大会的举办，将为推动新材料领域的科技创新、产业升级和融合发展提供契机，进一步激发新材料产业作为新质生产力动力源泉。通过此次大会的深入交流与广泛合作，能够汇聚全国乃至全球的智慧与力量，共同绘制新材料产业高质量发展的未来蓝图，为新材料科技事业贡献力量。