《金融时报》| 中国存储芯片之王，正在“滚雪球般”增长
《金融时报》| 中国存储芯片之王，正在“滚雪球般”增长
导读：中国存储芯片制造商长鑫存储正在迅速崛起，从2020年几乎为零的市场份额增长到2023年的5%，并计划在上海建设一座28万平方米的晶圆厂，以生产HBM2产品。这一发展不仅撼动了韩国芯片制造商三星和SK海力士的市场地位，还推动了中国在高带宽内存（HBM）市场的布局。
作为中国领先的存储芯片生产商，长鑫存储（CXMT）正在从韩国同行手中快速夺取全球市场份额，并且加入OpenAI的竞争对手深度求索（DeepSeek）的行列，为中国降低对外国技术依赖的行动提供助力。
根据深圳咨询公司前瞻产业研究院的数据，在900亿美元的全球DRAM内存市场中，长鑫存储的市场份额在2020年几乎为零，但到去年却已经增长到5%。分析师预测，其增长速度可能会像“滚雪球般”快速增长。
长鑫存储还带头推动中国进军高带宽内存（HBM）市场。HBM是运行ChatGPT等AI系统的关键组件，而ChatGPT目前正面临来自其价格更具竞争力的中国对手DeepSeek的挑战。
长鑫存储的崛起正在撼动韩国芯片制造商三星和SK海力士，以及美国竞争对手美光（Micron）在该领域的主导地位。这三家公司在2023年占据了96%的DRAM营收。
野村证券亚太地区股票研究联席主管CW Chung表示：“随着长鑫存储的崛起，韩国芯片制造商正面临一个新的现实：低端市场已被中国产品占据。”
“这不是技术优势的问题，而是数量问题。这意味着三星受到了市场饱和和芯片价格下跌的严重冲击。”CW Chung补充道。
2016年长鑫存储成立时，中国几乎没有自主生产DRAM芯片的能力。这种芯片主要用于服务器、计算机和移动设备。
到2019年，在阿里巴巴和国家支持的“大基金”投资下，该公司开始批量生产当时最先进的DRAM内存产品DDR4芯片。
据咨询公司SemiAnalysis的数据，长鑫存储去年开始批量生产DDR5内存。这种内存最初由SK海力士于2020年实现商业化，目前是DRAM内存中最先进的类别。
据野村证券的一份报告，这家中国公司正在积极扩大DDR4的产量。其产能预计将从2022年的每月7万片晶圆增加到2024年底的每月20万片，这足以占据全球DRAM市场15%的份额。
这导致旧款DRAM芯片的价格下降，侵蚀了三星和SK海力士的利润率，迫使这两家韩国公司从市场低端撤出。
三星上个月表示，由于DRAM和NAND产品的增长有限，该公司正在减少对传统内存半导体的投资。该集团去年第四季度的营业利润较第三季度下降了29%。SK海力士上个月也承认，中国DRAM产能扩张导致其第四季度营业利润未达分析师预期。
咨询公司TechInsights副主席G Dan Hutcheson表示，尽管长鑫存储的全球市场份额仍相对较小，且主要集中在中国市场，但其在高度商品化的DRAM领域的快速进展正在产生“滚雪球效应”。
Hutcheson说：“市场份额越大，销量就越高，产量随之提升，成本随之降低，从而获得更多市场份额。这与韩国企业在20世纪80年代和90年代将日本企业挤出内存行业的方式如出一辙，如今他们正面临同样的处境。”
分析人士指出，自2023年以来，长鑫存储利用美国出口管制中的漏洞，获得了先进的美国芯片制造设备，用于生产其最尖端芯片。此外，该公司也未被列入去年更新的商务部黑名单，得以继续与美国公司开展业务。
兰德公司高级技术分析顾问吉米·古德里奇（Jimmy Goodrich）表示：“即便到现在，长鑫存储是否受到任何限制仍不完全明确。”
一位熟悉长鑫存储计划的人士表示，该公司正在上海以东建设一座28万平方米的晶圆厂，将具备生产“HBM2”产品的能力，这比SK海力士计划今年量产的HBM4芯片落后两代。
长鑫存储未回应置评请求。
预计长鑫存储HBM2产能的扩张将进一步压缩三星的市场空间，而三星目前仍在努力通过英伟达的严格测试，以获得HBM供应商资格。
Hutcheson说：“三星正处于两面夹击的境地：高端市场被SK海力士和美光占据，低端市场则被长鑫存储侵蚀。”
本文原文来自华尔街日报