ADS射频电路设计学习笔记:常见滤波器的仿真设计
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ADS射频电路设计学习笔记:常见滤波器的仿真设计
引用
CSDN
1.
https://blog.csdn.net/weixin_65176607/article/details/144471225
本文详细介绍了ADS射频电路设计中常见滤波器的仿真设计方法,包括集总元件滤波器和分布参数滤波器的设计。通过手动调谐和ADS自动优化的具体步骤,以及丰富的仿真结果和优化过程,为射频电路设计工程师提供了实用的参考指南。
一、集总元件滤波器(LC 低频)
- 下图为低通滤波器的原型电路,我们可以手算把它进行频率转化为所需的滤波器
- 结果显示在1.3GHz以内,插损是比较低的,大概是在1GHz左右。
- 这里我们要求其是1.7-1.9GHz的抑制要优于25dB,然后1.9-3GHz要优于40dB甚至更好。
- 所以仅仅通过原型的低通滤波器是远远达不到指标的,因此我们要增加其传输零点来加强高频的抑制比。
1. 手动调谐
- 这里我们通过增加三个并联谐振网络,来加强高频的抑制比。
- 我们尝试将其进行调谐。看看能否有一些变化。
- 例如刚才加入的并联电容是1pF,这里我们调整其容值
- 减小C5容值,可以发现在1.3GHz的时候损耗变大了,1.7-1.9GHz的时候抑制变好了,同时截止频率往左移,说明第一个并联谐振网络的电容是对其截止频率有影响的。
- 然后我们再来看第二个并联谐振电容,m4凹进去更多了
- 当改变第三个并联谐振电容,中间鼓包越来越严重了,后面又多形成了一个谐振点。
2. ADS自动调谐方法
控件参数设置
- 对于这种滤波网络,我们可以通过手动的调谐,但是我们也可以通过ADS的自动优化功能进行调谐。
- 我们要把刚才所有器件的值都设置为变量
- 然后我们要添加变量控件。
- 在这里把刚才的器件值进行设置
- 如果并联谐振的电容容值设置太大,谐振频率会往左偏离太多,所以只能设置为一个范围,如0-5pF。
- 点击设置变量范围
- Tuning是用于设置手动调谐的
- optimization是自动优化的,我们把其状态设置为Enabled
- 设置为最大值为5pF,最小值为0pF。
- 当把变量设置好以后,我们添加优化控件
- 这就是优化控件
- 这里需要设置优化方式type,是随机优化还是梯度优化。
- 一般来说如果范围变量又多又大的情况下,我们是选取随机优化
- 如果变脸比较少,只有一个或两个变量,我们选取梯度优化
- 所以这里我们选取随机优化
- number of iterations为优化的次数。次数越多消耗的时间越长,取决于电脑的性能。
- 然后增加目标优化
- 这里我们要把权限给打开
- expression是需要设置的表达式
- analysis是仿真分析的控件SP1,就是s参数仿真的控件
- weight是权重,就是同时有好几个优化目标的时候,哪个是最主要的,哪个是次要的。
- limit lines是变量设置,优化目标是在0-1450MHz这个范围,最小值要大于0.3
- 一般有两个参数要优化,插入损耗和驻波VSWR。这两个参数决定好了,那么整个网络就决定好了。
- 我们再来查看GOAL2,要求驻波要优于-25dB,即驻波要在1.2以内,这样全反射信号才能抑制
- 在带外1.7G-1.9GHz,要求抑制小于-30
- 由于低通滤波器可能会在高频下会翘起来,所以我们还要增加其他的带外,就是把高频的抑制给拉下来,使其小于-50dB
方法一:手动调谐后用ADS专门优化控件
- 这四个目标设置好后,可以有两种方式进行验证
- 第一种是利用ADS专门的优化控件进行优化
- 会对这10000个点里面进行最优的分析。
- 当数据都仿真完以后,会有最优的结果显示出来,然后update design更新原理图,或者进行其他的仿真验证。
- 然后打优化后的结果图
- 在1.3GHz以内的插损是比较好的,还是有-20以上,
替换实际器件
- 返回原理图,由于采用的是理想的器件,但实际上电感在8GHz下根本不能使用,即使仿真出来的结果是好的,但还是不能使用的。
- 这里我们把电容都用村田的电容进行替换,注意一定要添加说明的控件
- 电容容值用接近的电容进行替换。
- 然后来仿真验证结果
- 但是显示运行报错了,主要是因为C30的容值太小了,实际的电容容值没有这么小的,所以这里显示NULL。
- 其实对应的是C6,约等于0.26pF。还有C1容值也很小,只有0.7pF。
- 但实际上这里选的高频电容的最小值是1.0pF。所以选不了这个值
- 这里我们默认把C30给开路,把C32选择1pF的值代替进行仿真验证。
- 可以看到仿真的结果
- 这里我们把s43和s33拿出来做比较
- 对比两个图,可以发现在4GHz以上,带寄生参数的元件仿真图就开始不一样了,就开始往上翘了,其寄生参数远比其本身电感量要大。
- 因此在高频下,与理想元件是有差别的。在低频下1GHz以内是可以使用LC这类集总滤波器,但是在高频达到3GHz以上,这些集总元件就就不再适合去使用了。
- 这里我们可以增加它的传输函数零点电容,让其在高频下的抑制能够有所好转。
方法二:ADS自动电路设计控件(较常用)
- 上一个方法是通过手算元器件的值,然后通过频率转换成所需要的频率。但实际并不需要这么复杂
- 在滤波器控件中调用低通滤波器
- 像这种集成的低通滤波器,更经常使用的是在一个区域内,大概是在1GHz以内可以正常使用。越到高频电感和电容会变化很大。
- 这里我们假设有Fp为500MHz,而截止频率Fs为1GHz,带内插损Ap为3dB带宽,带外抑制As为20dB。
- 选择design guide,选择滤波器filter。
- 选择滤波器控制窗口
- 可以看到截止频率Ap为3dB(左边蓝色线)在500MHz左右,在1GHz要满足20dB以上的抑制(右边红色线)
- 设置完之后点击下面的Design,就设计完成了。
- 然后点击查看内部原理图
- 这个原理图是ads自动帮我们生成的
- 返回上一层原理图
- 然后运行仿真
- 同样我们可以在ADS设计好的滤波器电路里面适当增加其传输零点
- 在每个电感上再并联一个电容,将其谐振在低频,高频就能抑制住了。
- 同样可以采用自动调谐或手动调谐。
二、分布参数滤波器(微带/带状线 高频)
- 带状线/微带线/波导在进行匹配的时候,有明显的特点是其寄生效应不是很大,因为其用到较少的电感电容器件。
- 在微带电路控件中,MSUB是微带的板材参数设置
- H为介质层的厚度;Er为设计的介电常数;Mur为相对磁导率;Cond为电导率,一般为5.8*10^7;Hu为腔体高度,就是上层封闭的高度,一般默认微带式半封闭的,也就是散射空间很宽;T为铺铜厚度,典型值为1.4mil,即0.035mm;TanD为正切损耗角,是板材本身的参数;Rough为表面光滑度
- 这里我们选用罗杰斯RO4350b板材,介电常数为3.66,板厚度为20mil
- 这个为高低阻抗滤波器,也叫阶跃滤波器,
- 设置的变量跟前面设置的集总滤波器参数差不多
- 首先其是低通滤波器,是一个通低频阻高频的滤波器,其截止频率为2GHz。一般1GHz以内采用集总,2G或者10GHz以上更多用微带线或者波导。
- 在2GHz的插损为0.2dB,在3GHz以上设置为20dB以上。
- 高低阻抗就是一高一低的阻抗,系统特性阻抗Z0是50欧,ZL就是低阻抗线25欧,ZH高阻抗线100欧,利用这两个一高一低的阻抗线来设计传输参数
- 先选中高低阻抗滤波器
- 然后点击DesignGuide的Passive circuit无源电路
- 选择无源电路控制窗口
- 如果所有的其他参数都设置好了,唯一要点的是Design
- 然后点击进去高低阻抗滤波器,就可以发现所有的器件都已经设置好了
- 一共有10节的滤波器
- 然后我们来验证生成的电路效果怎么样,连接好器件
- 可以看到其还是不太符合标准,就是在3GHz没有到20dB。因此还需要再进行优化
- 比如我们可以通过高低阻抗滤波器里面的delta这个参数进行优化。它是通过改变微调器长度变化量来进行调整的。这里我们尝试将其设置为10mil
- 重新运行仿真设计,相对于前面,在2GHz的插损太大了,但是抑制变好了
- 每更改一次变量都会有不同的结果,比如这里再把delta更改为30mil,2GHz的插损从刚才的-0.3变成-0.6,可以发现抑制和损耗是相矛盾的。
- 第二个,我们可以通过自己对其调谐,进入滤波器
- 就进入下一层的菜单了
- 这里我们可以把所有的MSTEP的长度都进行调谐
- 按住crtl,选中其长度
- 这里我们就可以对其一个一个变量进行调整了
- 这里可以发现减小TL1的长度,插损降低,但是抑制在变好。
- 最后滤波器优化后得到的曲线是这样的。
- 优化好之后点击update保存一下结果
三、滤波器版图设计
- 生成滤波器的版图
- 点击ok
- 滤波器版图如下
- 首先,我们要激活所有键
- 激活好键之后在两边加入端口
- 这两个端口加好之后,然后加入自己建立好的板材,
- 翻到substrate板材,打开open设置
- 顶部是空气
- 表面铺铜厚度,这里要注意板材的厚度单位要跟版图的单位符合
- 中间层是介质层,要设置介电常数
- 然后设置表面底层
- 设置好之后点击保存
- 第二个是添加端口
- 第三个是仿真的频率,从0.1G-40GHz。
- 输出
- model和symbol,勾选上
- 全部设置好之后就可以开始仿真了
- 仿真的过程是首先对版图进行网格分成一块一块的,然后分别去计算它们每一小块的s参数,和合在一起的s参数,然后再对频率进行相应。
- 然后就可以得到下面这些数据,在2G以内的插损是在-0.5dB左右,在3G的抑制有18dB。2G的回拨损耗为-12
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