常见的ROM(只读存储器)及其区别（超详细）

常见的ROM(只读存储器)及其区别（超详细）

引用

CSDN

1.

https://blog.csdn.net/weixin_61944480/article/details/142143102

ROM（只读存储器，Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，存储的数据在断电后不会丢失，广泛用于嵌入式系统、固件存储等场景。ROM 的种类较多，根据可编程性和可擦写性不同，可以分为：Mask ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash、NVRAM。

1. 掩模 ROM (Mask ROM)

掩模 ROM 是最早期的一种 ROM，数据在制造芯片时由制造商永久性地写入，用户无法修改。由于其数据是通过物理掩模写入芯片的，所以修改数据需要重新制作整个芯片。常用于需要长期保存数据且不会更改的场合，如传统的 BIOS。

特点：

• 数据永久存储，断电后不丢失
• 制造成本较低
• 读取速度快

缺点：

• 一旦写入无法修改
• 开发周期长
• 不适合小批量生产

2. 可编程 ROM (Programmable ROM, PROM)

PROM 是一种在制造过程中未预写入数据的 ROM，用户可以在出厂后通过一次性编程将数据写入其中。编程通常是通过烧写的方式实现，一旦写入数据后无法再更改。

特点：

• 相比 Mask ROM 更具灵活性
• 适合小批量生产
• 成本相对较低

缺点：

• 仅支持一次性编程
• 无法擦除和重写
• 编程过程需要专用设备

3. 可擦写可编程 ROM (Erasable Programmable ROM, EPROM)

EPROM 是一种可擦写的 ROM，用户可以通过紫外线照射来清除其内容，然后重新编程。EPROM 的数据会在编程后保持不变，但可以通过特定操作清除并重新写入。

特点：

• 支持多次擦写
• 通过紫外线擦除数据
• 适合开发和测试阶段

缺点：

• 擦除过程需要专用设备
• 擦除速度慢
• 需要物理接触进行擦除

4. 电可擦写可编程 ROM (Electrically Erasable Programmable ROM, EEPROM)

EEPROM 可以通过电信号来擦除和重新写入数据，而不需要紫外线照射。与 EPROM 相比，EEPROM 具有更方便的可擦写性，因此它广泛用于需要频繁修改数据的应用场合。

特点：

• 数据可以通过电信号擦除和重新写入
• 擦写过程较为方便
• 擦写次数为 10,000 到 1,000,000 次

缺点：

• 单位存储成本较高
• 写入速度较慢
• 存储容量相对较小

5. 闪存 (Flash Memory)

闪存是一种特殊类型的 EEPROM，它允许一次性擦除和重写大量数据（通常是整个块），并且比 EEPROM 擦写速度更快。由于其高效性和容量大，闪存被广泛用于固态硬盘（SSD）、USB 驱动器和嵌入式系统的固件存储中。

特点：

• 支持块擦除和重写
• 擦写速度快
• 存储容量大
• 典型擦写次数为 100,000 到 1,000,000 次

缺点：

• 数据擦写时需要擦除整块存储区域
• 写入时需注意存储器的管理
• 与 RAM 相比擦写速度仍然较慢

6. NVRAM (Non-Volatile RAM)

NVRAM 是一种结合了 RAM 速度与 ROM 非易失性特点的存储器。虽然它是 RAM，但由于电源失效时它可以保持数据，所以也被归类为 ROM 的一种。NVRAM 通常依靠电池或其他技术来维持数据。

特点：

• 读写速度快
• 断电后数据不丢失
• 适合需要高速访问和数据持久性的场景

缺点：

• 成本较高
• 需要额外的电源管理机制
• 容量相对较小