单Rank与双Rank内存：哪个更好？
单Rank与双Rank内存：哪个更好？
你可能听说过双通道内存，但Rank是什么呢？Rank是内存DIMM（模组）的一种分类方式。简单来说，双Rank内存DIMM相当于在同一个DIMM上集成了两个常规的“单Rank”内存模组。因此，双Rank内存模组的宽度（就带宽而言）应该是单Rank模组的两倍。
单Rank配置的宽度为64位，而双Rank模组的宽度为128位。然而，由于内存通道只有64位宽（与单Rank模组相同），内存控制器一次只能寻址一个Rank。这可能会使双Rank内存比传统的单Rank模组更慢，即使它们更密集。但实际上，单通道和双通道模块的延迟之间的差异几乎无法察觉。
这是因为双Rank内存有更多的打开行（页），增加了命中率，从而减少了刷新的机会。同时，访问不同Rank会导致延迟损失，在某些情况下会打断流水化操作，降低性能。因此，多Rank模组的整体影响因应用程序而异。通常，双Rank内存更适用于对工作带宽敏感的情况。
在消费类PC上，安装所有DIMM类似于拥有双通道、双列Rank。一般来说，双Rank配置比单RankPC快5-10%，在AMD的RyzenCPU上优势更加明显。
理论上，还有四Rank内存DIMM，可以将其视为单个模组上4个Rank的DIMM。由于一次只能访问四Rank中的一个Rank，因此这类模组比单RankDIMM慢一些。出于这个原因，一般不会在主流PC上找到四Rank模组。
因为rank是64或72位，所以由x4芯片制成的ECC模组需要18个芯片才能实现一个单Rank。由x8芯片制成的ECC模组只需要9DRAM个即可组成一个Rank。由18个x8芯片制成的模组将是双Rank的，具有36个x8芯片的ECC模组将是四Rank的。这里，x4和x8代表每个DRAM芯片位宽。
四RankDIMM通常是LRDIMM，但实际上用于2Rank模组，这是由于LRDIMM缓冲区部分的抽象，使四RankDIMM看起来像系统的双RankDIMM。这不仅有助于增加服务器上的DIMM数量，还有助于掩盖由四Rank模组引起的延迟损失（在某种程度上）。大多数服务器每个内存通道支持多达三个LRDIMM，与标准四RankRDIMM相比，显着提高了内存容量和速度。
有关内存Rank的信息通常可以在DIMM标签上找到。单Rank通常标记为1Rx(1Rx8/1Rx8/1Rx16)，双Rank内存标记为2Rx(2Rx8/2Rx8/2Rx16)，四Rank标记为4Rx(4Rx8/4Rx8/4Rx16)。需要注意的是，DIMM上DRAM芯片的物理面并不一定表示Rank。单Rank模组不一定是单面DIMM，双面模组不一定是双RankDIMM，反之亦然。