长江存储突破美国封锁，芯片国产化成功

长江存储突破美国封锁，芯片国产化成功

长江存储正加速转向国产半导体设备！

9月20日消息，据彭博社援引半导体专业分析机构TechInsights的报道称，在美国于2022年10月限制先进半导体设备对华出口，并于2022年底将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单近两年之后，长江存储仍在稳步发展，并已成功采用国产半导体设备取代了部分美系半导体设备。

报道称，长江存储已转向国内的半导体设备应商，如专门从事蚀刻设备的 中微公司（AMEC）、专注于沉积和蚀刻设备的北方华创（Naura）、沉积设备供应商拓荆科技（Piotech）。

据 TechInsights 称，虽然长江存储仍继续依赖 ASML 和 泛林集团（Lam Research）等外国供应商提供关键工具，但中国国产半导体设备供应商越来越多地承担了生产流程的大部分。

近年来，长江存储推出了具有232层和高速接口的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架构，使得其能够与美光、三星和 SK 海力士等全球领导者进行竞争，并具有足够的竞争力，可以为世界上一些最好的 SSD 提供支持。

尽管取得了这些进展，但长江存储仍面临技术障碍。据彭博社和 TechInsights 报道，其最新的使用国产半导体设备生产的3D NAND芯片比早期版本少了 70 层，而层数的减少主要因为使用国产设备导致了制造过程中缺陷增多、良率降低。

不过，长江存储在发给彭博社的一封电子邮件中回应称，它正在不断提高其产品性能，其最新设备中层数的变化与任何特定设备的产量无关。

对此，芯智讯也联系了长江存储相关人士，对方对于彭博社的报道未予评论。

不管如何，可以肯定的是，随着国产设备制造的3D NAND 的缺陷数量减少和良率提升，预计长江存储将持续增加国产设备制造的3D NAND 的层数。

随着美国继续收紧对先进芯片和设备的出口管制，中国正在推动在这一关键领域的自力更生。

值得注意的是，长江存储最近甚至签署了一项协议，为美国Patriot Memory 的一款高端PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，该 SSD 承诺以低价格提供高性能。

虽然 AMEC、Naura 和 Piotech 在更复杂的晶圆制造设备方面取得了稳步进展，慢慢缩小了与应用材料（Applied Materials）和 泛林集团（Lam Research）等美国领先公司的差距，但公众很少公开看到他们的进步，这主要是因为他们和他们的客户都没有兴趣向外界展示他们的最新进展。

尽管长江存储正在采用更多的国产设备，特别是在国产设备有竞争力的刻蚀和沉积设备方面，但目前中国的半导体制造业总体上仍继续依赖外国设备，例如 ASML、应用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）、泛林集团（Lam Research）和 Tokyo Electron 的设备。

另外需要指出的是，为了反击来自美方的持续打压，长江存储正通过专向其美国竞争对手美光科技发起一系列诉讼来维护自身利益。

今年7月，长江存储在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

而在更早之前的2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

此外，今年6月，长江存储还在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

长江存储突破美国封锁，芯片国产化成功！

据彭博社援引行业权威分析机构TechInsights的最新报道，面对美国严苛的出口限制及实体清单的严峻挑战，中国存储芯片巨头长江存储展现出了非凡的韧性与创新能力。公司成功实现了关键生产设备的国产替代，利用本土技术资源制造出了高性能的3D NAND闪存芯片，标志着中国在高端存储芯片领域迈出了坚实的一步。

（相关报道截图）

长江存储的这一壮举不仅打破了国外技术封锁的桎梏，更以自研的Xtacking架构引领行业潮流。该架构能够实现高达232层的3D NAND堆叠，与国际顶尖制造商如美光、三星、SK海力士等相媲美，展现出强大的技术竞争力和市场潜力。

尽管在国产化初期，长江存储面临着设备适应性和工艺良率等挑战，导致最新批次的3D NAND芯片堆叠层数相比早期版本有所减少。但公司迅速作出回应，强调层数的变化与设备产量无直接关联，并承诺将持续优化制造工艺、提升设备性能和流程管理，以逐步恢复并提升堆叠层数，确保产品性能达到国际领先水平。

（图片来源：长江存储官网）

长江存储的快速发展和国产化进程，离不开其深厚的研发实力和前瞻性的战略布局。自2016年成立以来，公司始终秉承创新驱动发展的理念，不断推动芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案的自主创新。通过自主研发与国际合作的有机结合，长江存储已成功推出了多款具有自主知识产权的3D NAND闪存产品，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等多个领域。

• 2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；
• 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产；
• 2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时业界最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量；
• 2022年10月，美国限制先进半导体设备对华出口，随后将中国3D NAND Flash制造商长江存储列入实体清单。

尤为值得一提的是，在遭遇美国制裁的两年间，长江存储非但没有被击垮，反而以更加坚定的步伐迈向了国产化替代的道路。公司积极寻求与国内半导体设备供应商的合作，共同攻克技术难关，实现了生产设备的全面国产化。这一壮举不仅为中国存储芯片产业树立了新的标杆，也为全球半导体产业格局的演变带来了深远的影响。

外媒纷纷对长江存储的成就表示高度赞赏和关注。他们认为，长江存储的成功实践证明了美方芯片限制政策的失效与徒劳，反而激发了中国在半导体领域的自主创新和国产替代热情。随着全球半导体产业的不断发展和技术竞争的日益激烈，长江存储等中国企业的崛起将为全球存储芯片市场注入新的活力和动力。