NOR Flash各项工艺对比分析

NOR Flash各项工艺对比分析

NOR Flash是嵌入式系统中常用的非易失性存储器，其工艺技术直接影响产品的性能和成本。本文将对比分析三种主流的NOR Flash制造工艺：ETOX、SONOS和NORD，探讨它们的技术特点和市场应用。

ETOX工艺

• 技术原理：基于浮动栅技术，是目前的主流工艺。
• 芯片制程：45nm/48nm/50nm
• 温度适应区间：-40℃-85℃/105℃/125℃
• 可靠性：保持时间20年，擦写次数10万次
• 成本：较低
• 功耗：3.6V操作电压
• 传输速度：未提及

SONOS工艺

• 技术原理：采用电荷俘获原理，为双管单元共源结构
• 芯片制程：40nm
• 温度适应区间：-40℃-85℃
• 可靠性：保持时间20年，擦写次数10万次
• 成本：较高
• 功耗：超低电压超低功耗
• 传输速度：未提及

NORD工艺

• 技术原理：采用改进的氮化物层来提高性能
• 芯片制程：90nm工艺制程
• 温度适应区间：-40℃-85℃/105℃/125℃
• 可靠性：保持时间50年，擦写次数20万次
• 成本：较低
• 功耗：3.6V操作电压
• 传输速度：120MHz

工艺对比分析

NORD工艺在保持高可靠性和宽温度适应能力的同时，在芯片尺寸和成本方面具有优势。作为首批利用NORD工艺平台研发设计NOR Flash产品的企业，公司已率先完成了NORD工艺结构下512Kb-32Mb容量的NOR Flash产品布局。其中，覆盖512Kb-8Mb容量的NOR Flash产品已通过第三方权威机构的AEC-Q100 Grade 1车规电子可靠性试验验证，4Mb容量的A1等级车规NOR Flash产品荣膺"2023年中国IC设计成就奖——年度最佳存储器"。

未来，公司将持续从工艺制程和容量维度实现技术和产品迭代，在保障产品质量可靠和性能优异的前提下，达成业内相同容量产品芯片面积最小的目标，为客户提供更具性价比的NOR Flash产品，并依托技术水平与客户资源优势，不断提升在NOR Flash市场的竞争力。

资料来源：普序股份公告、普舟股份年报、兆易创新官网、聚辰股份官网，华创证券