温度对射频电路性能的影响

温度对射频电路性能的影响

引用

CSDN

1.

https://blog.csdn.net/auqihc/article/details/137892677

对于射频电路，通常会有使用温度范围的要求，即在特定的温度范围内其性能变化不超出指标要求的值。对于工业级产品，一般要求使用温度范围为-40℃～+70℃，而军品要求使用温度范围为-55℃～+85℃。有一些其他特殊使用场景的产品会有不同的要求。

不同的温度对电路性能的影响，其实主要是电路中的各类元器件的性能受到了温度的影响产生了变化。元器件在温度变化时产生的性能的偏移，被称为温度漂移，简称温漂。不同种类的元器件的温度漂移具有不同的特性。

射频放大器

射频放大器类器件，一般在低温下具有更大的增益、更低的噪声和更高的功率，而高温正好相反。下图是一个典型的射频放大器在不同温度下性能指标的变化曲线。

射频放大器类器件会在高温时性能变差，主要是由于高温时，源／漏串联电阻发生退化，导致晶体管的膝点电压持续增加，使得放大器的输出功率减小；温度升高时，晶体管的阈值电压会发生正向漂移，引起晶体管的跨导值减小，使得放大器的增益发生退化。

电阻

常规的电阻具有正温度系数，即在高温时阻值变大，低温时阻值变小。这是因为当温度升高时，电阻材料的原子热运动加剧，导致电子在材料中移动时遇到的阻力增加，从而使得电阻值增大。这种温度系数通常用ppm/℃（每摄氏度百万分之几）来表示，例如，一个电阻的温度系数为100ppm/℃，意味着温度每升高1℃，电阻值就会增加0.01%。

需要注意的是，有些特殊应用场合会使用负温度系数的电阻，即在高温时阻值变小，低温时阻值变大。这种电阻通常用于温度补偿电路中，以抵消其他元器件的温度漂移效应。