低场核磁共振技术表征芯片中使用的热界面材料的柔性性能

低场核磁共振技术表征芯片中使用的热界面材料的柔性性能

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在微电子技术飞速发展的今天，芯片的散热问题成为了制约其性能提升的关键因素。随着芯片功率密度的提高和散热空间的缩小，热流分布不均匀和局部过热等问题日益突出。因此，对芯片中的热界面材料（TIMs）的柔性性能进行准确表征变得尤为重要。低场核磁共振技术（LF-NMR）作为一种非侵入性的分析技术，为热界面材料的柔性性能提供了一种有效的表征方法。

低场核磁共振技术通过探测样品中的氢原子核（通常是1H）在低磁场中的共振信号，来研究材料的分子动力学和结构特性。与传统的测试方法相比，低场核磁共振技术具有成本较低、操作简便、对样品尺寸和形状限制小等优点。这些特性使得低场核磁共振技术成为表征热界面材料柔性性能的理想工具。

理想的热界面材料应具备高导热性、高柔韧性、绝缘性、安装简便及可拆性、适用性广等特点。在芯片中，热界面材料的主要作用是填充电子芯片与散热器接触表面的微观空隙，减少散热热阻，从而提高散热效率。聚合物基复合材料因其轻质、韧性好、低成本和易加工等特性，占据了热界面材料市场的90%以上份额。